納米離子（英文：Nanoionics）是在所有的固體納米級系統快離子關于過程現象，優點，研究和機制的應用程序被輸送（FIT）。所關注的話題，納米級氧化物陶瓷基本特性，快離子導體（高級超離子導體）/電子導體異質結構有。一種潛在的應用是在電化學裝置（雙電層裝置）中，用于能量、電荷、信息的轉換和存儲。納米離子的術語和概念（作為一個新的科學領域）于1992年1月由AL Despotuli和VI Nikolaichik（位于切爾諾戈洛夫卡的俄羅斯科學院微電子技術與高純材料研究所）首次提出。

在固體離子遷移現象處理固體離子學的跨學科的科學和工業領域，它被視為一個新的部門納米離子 。納米離子學試圖以僅在納米尺度上有意義的術語來描述擴散和反應，例如就（納米尺度）異質勢態而言。

固體離子納米系統有兩種類型，兩種基本上是不同的納米離子。

（I）基于低離子電導率固體的納米系統

（II）基于高度超離子導體（例如α-?AgI，碘化rub?碘化銀系列）的納米系統。I和II具有不同的接口設計。邊界在納米離子I中的作用是在不規則空間電荷層中產生高濃度的帶電缺陷（空位和間隙）條件。但是，在納米離子II中，必須保持具有規則（晶格匹配）異質邊界的高度超離子導體的xxx個高度離子導電晶體結構。納米離子I可以顯著提高（高達10?⁸倍）具有結構相干性的納米結構材料的二維離子電導率，但是可以改善高級超離子導體的三維離子傳導性。與比率相比，它仍然小10?³左右。

固體中擴散和遷移的經典理論基于擴散系數，活化能和電化學勢。這意味著可以接受對所有勢壘都相同高度（勢能均勻）的勢態中躍遷離子傳輸的描述。盡管固體離子和納米離子I和II之間存在顯著差異，但這些對象（快速離子導體）的快速離子傳輸以及電荷/能量存儲（或轉換）的真正新問題是有一個特殊的共同原則。例如，在納米尺度上存在一個異質的潛在景觀。這決定了移動離子子系統對脈沖或諧波的外部影響的響應特性，例如介電譜（阻抗譜）中的弱影響。

納米，納米技術作為的一個部門，（帶FIT納米結構）Nanoionikusu目的，受試者（特性，行為，效果，處理機構，FIT相關在納米級的應用程序），方法（納米超離子導體系統中的接口設計）和標準（當R是快速改變諸如FIT相關特性之類的參數的特性長度，而R是設備結構的長度尺度時，R / L?1）。

ITRS已將基于納米離子的電阻式開關存儲器定位在“新興研究設備”類別中（“離子存儲器”）。納米電子學和納米電子學緊密混合的區域有時稱為納米電子學。當前受基本限制約束的未來納米電子學的前景已由高級研究塑造。為計算最終物理限制，區域目前實現（10?¹⁰厘米^-2，10?¹⁰赫茲）和遠遠超出。納米和亞納米PB級集成中可以使用哪些類型的邏輯開關？問題是，主題已經在，其中術語“納米電子學”?還沒有。用量子力學來限制電子區分放置的兵馬俑規模的隧道效應。10?¹²厘米^-2為了突破比特密度的限制，在信息領域應使用特征尺寸為L <2 nm的原子和離子構型，并且信息載體的有效質量m *的材料應遠大于電子。是必要的。L = 1 M * =納米13米_ê，在= 0時，為5nm L M * =53米_ê，在= 0時，為2nm L M * = 336米_??。未來的小型設備，Nanoion，即有將要基于在納米級的快速離子傳遞如開頭提到的可能性^?。

納米離子設備的例子是在功能異質結中具有快速離子傳輸的全固態超級電容器（納米離子超級電容器），具有納米結構電極的鋰和燃料電池，快速離子導體與量化電導率nanoswitches根據（憶阻器有參考文獻和可編程金屬化元件）。這些可以具有可兼容子-電壓和深電壓納米電子，例如，自主微功率，RFID，MEMS，智能塵埃，納米變形細胞，其它微系統和納米系統可重新配置的存儲器單元陣列可以廣泛使用。

固態快速離子傳導的一個重要例子是離子晶體的表面空間電荷層。這種傳導最早是由Kurt Lehovec?預測的。邊界條件對離子電導率的關鍵作用是由CC Liang首先通過實驗發現的。他在LiI-Al?₂?O?₃兩相系統中發現了異常高的電導率。由于具有某些特性的空間電荷層的厚度為納米，因此其效果與納米離子（納米離子I）直接相關。萊霍夫效應是產生用于現代便攜式鋰和燃料電池的眾多納米結構快速離子導體的基礎。近年來詳細描述隨機勢弛豫（直接問題）中的空間電荷形成和弛豫過程，并解釋具有快速離子傳輸的納米系統的性質（逆問題）為了解釋這種現象，已經在納米離子學中開發了一種一維結構動力學方法，用于耦合離子傳輸和介電極化過程，從而導致AK Jonscher的“通用”動態響應。