納米壓印光刻技術是目前正在開發的一種用于半導體的精細圖案轉移技術。

常規的圖案創建縮小投影曝光裝置（步進器）已被使用，小型化由于，極紫外曝光裝置和金錢和圖案掩模飛漲，猶豫半導體制造商引入已經相繼被阻止。如果納米壓印光刻技術普遍增加生產率，則有望xxx到的半導體制造成本的降低做出貢獻。

1995年，普林斯頓大學的?Chou等人提出了一種熱循環納米壓印方法。作為分辨率約為10nm的處理技術，它引起了人們的關注。

在熱循環納米壓印法中，將抗蝕劑涂覆在硅基板上，加熱至200℃并軟化，然后使由電子束光刻系統形成的模具緊密接觸，然后冷卻以形成圖案。但是，由于進行加熱和冷卻，因此單位時間的處理能力低，尺寸精度存在問題。

另一方面，存在使用紫外線固化樹脂的光學納米壓印技術。這不同于熱循環納米壓印，加熱，還有一個優點，即，因為它不冷卻與其相關聯的熱膨脹，也不會發生與熱收縮的問題。

對準（定位）的精度很重要，如果將納米壓印應用于22 nm設計規則，則對準精度必須為3 nm或更小，這是一個瓶頸。此外，由于其與晶片接觸，存在由于使用期間的掩模污染而導致污染的風險，并且需要頻繁檢查。這些問題的解決已成為傳播的問題。

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