光刻技術（英文：photolithography）通過將涂有光敏材料的材料的表面以一定圖案（也稱為圖案曝光或按圖像曝光）曝光來曝光已曝光和未曝光的區域。生成模式的技術包括 主要用于制造半導體元件、印刷電路板、印刷板、液晶顯示面板、等離子顯示面板等。

在半導體元件的制造中，如下進行光刻。硅、砷化鎵，如一個半導體晶片上的光致抗蝕劑被稱為光敏有機材料涂布，步進稱為曝光使用的裝置中，標線片被稱為光掩模印刷元件，在所描繪的電路的圖案。在下文中，將更詳細地描述該過程。

通過旋涂機或噴涂將稱為抗蝕劑的液體施加到硅晶片上。通過將與光反應的化學物質溶解在溶劑中來制備抗蝕劑，存在其中溶解了暴露部分的“?正型”和保留了暴露部分的“?負型”。正型有利于圖案小型化，并且正型目前是主流。在使用諸如KrF?的受激準分子激光進行曝光的情況下，由于曝光強度弱，所以使用化學放大的光致抗蝕劑。

加熱涂覆有抗蝕劑的晶片以固化抗蝕劑。

用光照射抗蝕劑以使其反應。此時，通過使用描繪電路圖形狀的掩模來控制要被光照射的部分，從而在抗蝕劑上繪制必要的形狀。過去，曝光設備使用等尺寸的曝光，以使掩模和晶圓緊密接觸曝光，但是由于所需的圖案變得更細，并且很難制作出掩模，因此近年來創建了比實際尺寸大的掩模圖案。的步進而在晶片上通過使用稱為一個裝置移動縮小投影曝光已經改變的方法。圖案足夠短，以更精細的波長是必需的光源、電流的高壓汞燈克線（波長436 納米）、i線（波長365nm）、KrF受激準分子激光（波長248納米）、ArF準分子激光（波長193納米） EUV光（波長13.5nm：EUV光刻）正處于開發階段，是下一代光源。的透視或具有光源，電子束方法直接繪制在由（抗蝕劑的電子束光刻）也存在。

將曝光的晶圓浸入顯影液中，然后去除多余的抗蝕劑。僅在該過程中，電路圖案才會出現在晶片上。作為顯影劑，使用溶解抗蝕劑的化學溶液。所使用的化學溶液可以是溶解抗蝕劑的有機溶劑或有機或無機堿。在當前的半導體光刻中，作為有機堿的2.38?重量％的氫氧化四甲銨（TMAH）的水溶液是主流。這是因為無機堿，例如氫氧化鉀（KOH）不能避免將金屬離子混入工藝中。用沖洗液（主要是超純水）沖洗幾次，以完全清除不想要的部分。

通過加熱除去附著的沖洗液。加熱改善了對晶片的附著力。

使用抗蝕劑繪制的圖案創建目標電路。該過程根據所使用的晶片而不同，并且當要去除不需要的部分時執行蝕刻，并且當添加必要的電路時執行膜形成/剝離。

當期望簡單地在晶片上提供不平坦時，或者當最初在晶片上形成圖案時，通過蝕刻去除不必要的部分。有干蝕刻和濕蝕刻。由于抗蝕劑的剩余部分沒有通過蝕刻去除，因此在晶片上形成了殘留的圖案。最后，用溶劑等將抗蝕劑完全除去。

另一對晶片的金屬或氧化物，如果你想給等，真空沉積或濺射、CVD通過技術如沉積到。最后，當用溶劑等去除抗蝕劑時，在抗蝕劑上形成的材料也同時被去除（稱為剝離），從而可以在晶片上添加期望的圖案。