氮化物半導體，III-V族半導體在，V族元素為氮使用半導體。代表性示例是氮化鋁（AlN），氮化鎵（GaN）和氮化銦（InN）。氮化鋁是絕緣體，但將在同一專欄中討論。

與傳統的半導體相比帶隙大的寬帶隙半導體，也鎵（Ga）的，銦（In）的，鋁通過改變（Al）的濃度，可以改變帶隙大我可以的?因此，它可以覆蓋幾乎所有可見光區域，并且被認為是有前途的發光材料。

還具有化學穩定的特征，并且正在使用該特征進行研究和應用。例如，可以通過使用高擊穿電壓來實現低損耗電子設備，并且某些氮化物半導體（氮化鋁，氮化鎵，氮化銦）具有高溫（約500℃）但是，由于其穩定的特性，正在研究和應用為可以在這種環境下無需冷卻而使用的器件材料。

另外，由于不使用砷等有毒物質，因此具有物理強度高（非常堅硬），無環境負荷等特征。

在1980年代后期，赤尾Isao和Hiroshi Amano報道了諸如低溫緩沖層，p型導電，n型導電控制和pn結?LED等開創性的研究成果。

1993年，日亞化學工業的中村修二，高亮度藍色使用氮化鎵LED是本發明xxx個在世界上，在實際使用中，這種情況應該說氮化吊桿被引起的。

2004年，對氮化物半導體的研究非常活躍，即使在日本應用物理學會上，氮化物半導體的研究活動也比其他會議大幾倍。

2006年，它被用作HD-DVD和Blu-Ray中的重要半導體元件（半導體激光器），并進行了各種研究以提高產量。

松下在2012年宣布了一種使用氮化物半導體的人工光合作用系統。