氧化物半導體，金屬的陽離子是用作多種類數的帶隙具有可見光范圍的電磁波傳輸通過。它們中的一些表現出高的載流子濃度和遷移率，并且已經設計出利用這些特性的各種應用。典型示例包括氧化鋅，二氧化錫，氧化銦和ITO（通常為In?₂?O?₃：SnO?₂?= 90:10 [wt％]）。許多是電子的電荷載體的n型是，氧化銅或氧化銀，也一氧化錫，如孔中電荷載流子的p型也有報道。典型應用包括透明導電膜和超導體，傳感器等進行了研究。

• 田村秀夫，米山宏，《氧化物半導體的電化學性質》，《電化學和工業物理化學》，1980年，第48卷
• Shirae Wakabayashi Takemori，“使用金屬氧化物半導體氣體傳感器的氣體識別系統，第四屆化學傳感器研究會議”（1985年）。
• 義和西原，“?過渡金屬氧化物和物理性質的電子結構?” 1994年“雜志日本物理學會，的”，第49卷，第10號P.811-818。