單電子晶體管
編輯單電子晶體管（ Single Electron Transistor）是一種晶體管。
當作為常規晶體管的組成部分的柵極長度變為幾十納米時，量子特性變得非常明顯，并且認為當前的MOS FET難以實現作為算術元件的功能。因此，新提出了一種新的單電子晶體管（SET），該單電子晶體管通過使用諸如量子世界特有的隧道效應之類的現象逐一控制電子來執行各種操作。在SET?量子點被認為是重要的，從理論上講，實行低功耗的電腦可以用更好的性能有望比目前的。
結構
編輯它的結構類似于帶有三個電極的場效應晶體管，但操作不同，因為它使用了一種稱為“?庫侖阻塞?”?的效應，該效應阻止了存在于微觀庫侖島上的電子的隧穿。
作業
編輯為了在室溫下引起庫侖阻塞，庫侖島的大小必須為納米大小，并與在室溫下工作的單個單電子晶體管形成邏輯電路，并用小巧的連線連接這是一個挑戰。此外，當提高集成度并且單電子晶體管之間的距離小于50 nm時，將出現在單個器件之間發生電子隧穿的問題。
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