混合集成電路（HIC），是單獨的裝置，例如半導體器件的構造的小型化的電子電路（例如晶體管，二極管或單片集成電路）和無源元件（例如電阻器、電感器、變壓器和電容器），并粘結到基板或印刷電路板（PCB）上。在PCB上具有一個部件印刷線路板根據MIL-PRF-38534的定義，（PWB）不被視為真正的混合電路。

當前使用的術語“?集成電路?”是指單片集成電路，其與HIC的顯著不同之處在于，HIC是通過將多個組件互連在基板上而制造的，而IC的（單片）組件是串聯制造的個步驟完全在單個晶片上完成，然后將其切成芯片。一些混合電路可能包含單片IC，尤其是多芯片模塊（MCM）混合電路。

厚膜技術通常用作混合集成電路的互連介質。絲網印刷厚膜互連的使用提供了優于薄膜的多功能性的優點，盡管特征尺寸可能更大，而沉積電阻的公差也更大。多層厚膜是一種使用絲網印刷絕緣電介質來進一步改善集成度以確保僅在需要時進行層之間連接的技術。電路設計人員的一個主要優勢是，可以自由選擇厚膜技術中的電阻值。平面電阻器也經過絲網印刷，并包含在厚膜互連設計中。可以選擇電阻的組成和尺寸以提供所需的值。最終電阻值由設計決定，可以通過以下方法進行調整激光修整。一旦混合電路中完全裝有元件，可以通過主動激光修整在最終測試之前進行微調。

1960年代還采用了薄膜技術。Ultra Electronics使用石英玻璃基板制造電路。通過濺射沉積鉭膜，然后通過蒸發沉積金層。在施加光致抗蝕劑之后，首先蝕刻金層，以形成兼容焊料的連接焊盤。電阻網絡也通過光刻膠和蝕刻工藝形成。通過薄膜的選擇性陽極氧化將它們修整到高精度。電容器和半導體采用LID（無鉛倒置器件）的形式，通過從下側選擇性加熱基板來焊接到表面。將完成的電路灌封在鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂中。使用這些技術制作了一些定制的無源網絡，例如一些放大器和其他專用電路。

一些現代混合電路技術，如LTCC?-底物雜交體，允許在除了放置在基片的表面上的部件的多層基板的各層內的組件的嵌入。這種技術產生的電路在某種程度上是三維的。

在電話的早期，包含變壓器和電阻器的單獨模塊被稱為混合或混合線圈。它們已被半導體集成電路所取代。

在晶體管的早期，混合電路一詞被用來描述具有晶體管和真空管的電路;?例如，音頻放大器，其晶體管用于電壓放大，隨后是真空管功率輸出級，因為沒有合適的功率晶體管。這種用法和設備已經過時，但是使用電子管前置放大器級與固態輸出級耦合的放大器仍在生產中，因此被稱為混合放大器。