單片微波集成電路或MMIC（有時稱為“模擬”）是一種以微波頻率（300 MHz至300 GHz）工作的集成電路（IC）設備。這些設備通常執行諸如微波混合，功率放大，低噪聲放大和高頻切換之類的功能。MMIC設備上的輸入和輸出通常與50歐姆的特性阻抗匹配。這使它們更易于使用，因為級聯的MMIC不需要外部匹配網絡。此外，大多數微波測試設備都設計為在50歐姆的環境中運行。

單片微波集成電路尺寸很小（從1平方毫米到10平方毫米），并且可以批量生產，這使諸如手機之類的高頻設備得以普及。MMIC最初是使用砷化鎵（GaAs）（一種III-V化合物半導體）制造的。與傳統實現IC的傳統材料硅（Si）相比，它具有兩個基本優勢：器件（晶體管）速度和半絕緣襯底。這兩個因素都有助于設計高頻電路功能。但是，隨著晶體管特征尺寸的減小，基于Si的技術的速度逐漸提高，并且現在也可以采用Si技術來制造MMIC。Si技術的主要優點是與GaAs相比，其制造成本更低。硅晶片的直徑更大（與GaAs的4“到8”相比，通常為8“到15”），晶片的成本更低，從而有助于降低IC的成本。

最初，MMIC使用金屬半導體場效應晶體管（MESFET）作為有源器件。最近，高電子遷移率晶體管（HEMT），假晶型HEMT和異質結雙極晶體管已變得很普遍。

磷化銦（InP）等其他III-V技術在增益，更高的截止頻率和低噪聲方面均表現出優于GaAs的性能。然而，由于較小的晶片尺寸和增加的材料易碎性，它們也往往更昂貴。

硅鍺（SiGe）是一種基于Si的化合物半導體技術，與傳統的Si器件相比，它提供了更高的晶體管速度，但具有相似的成本優勢。

氮化鎵（GaN）也是MMIC的一種選擇。由于GaN晶體管可以比GaAs晶體管在更高的溫度下工作并且可以在更高的電壓下工作，因此它們是理想的微波頻率功率放大器。