場效應管，是一種類型的絕緣柵的場效應晶體管是由所制造的受控氧化一個的半導體，典型地硅。被覆蓋的柵極的電壓決定了器件的電導率。這種隨施加電壓量改變電導率的能力可用于放大或切換電子信號。

場效應管是由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在貝爾實驗室發明的，并于1960年首次推出。它是現代電子技術的基本組成部分，也是歷史上最頻繁制造的器件，估計總共有13?億六千億美元。 （1.3?×?10?²²）的MOSFET 1960和2018之間。制造這是主要的半導體器件在數字和模擬 集成電路（IC）的，和最常見的功率器件。它是一種緊湊型晶體管，已被微型化并批量生產，可用于廣泛的應用范圍，徹底改變了電子行業和世界經濟，并成為數字xxx、硅時代和信息時代的核心。自1960年代以來，場效應管的縮小和小型化一直在推動電子半導體技術的迅猛發展，并實現了諸如存儲芯片和微處理器之類的高密度IC。場效應管被認為是電子行業的“主力軍”。

雙極結型晶體管（BJT）相比，場效應管的關鍵優勢在于幾乎不需要輸入電流即可控制負載電流。在增強模式場效應管中，施加到柵極端子的電壓可從“常關”狀態增加電導率。在耗盡型MOSFET中，施加在柵極上的電壓會使導電率從“常開”狀態降低。場效應管也能夠高可擴展性的，隨著小型化，并且可以容易地按比例縮小到更小的尺寸。它們還具有更快的切換速度（適用于數字信號），與BJT相比，它的尺寸小得多，消耗的功率明顯減少，并允許更高的密度（適合大規模集成）。MOSFET也更便宜并且具有相對簡單的處理步驟，從而提高了生產良率。

場效應管既可以作為MOS集成電路芯片的一部分制造，也可以作為分立的MOSFET器件（例如功率場效應管）制造，并且可以采用單柵極或多柵極晶體管的形式。由于MOSFET可以用p型或n型半導體（分別為PMOS或NMOS邏輯）制成，因此互補對場效應管可以用于制造功耗非常低的開關電路：CMOS（互補MOS）邏輯。

名稱“金屬-氧化物-半導體”（MOS）通常是指金屬柵極，氧化物絕緣層和半導體（通常是硅）。然而，場效應管的名稱中的“金屬”有時用詞不當，因為柵極材料也可以是一層多晶硅（多晶硅）。除了氧化物之外，還可以使用不同的介電材料，以在較小的施加電壓下獲得堅固的溝道。所述MOS電容器也是MOSFET結構的一部分。