隨機存取存儲器是一種形式的計算機存儲器，可以以任何順序被讀取和改變，通常用于存儲工作數據和機器代碼。隨機存取存儲器設備允許數據項被讀出或寫入在幾乎相同的時間量，而不管存儲器內數據的物理位置的。相反，對于其他直接訪問數據存儲介質，例如硬盤、CD-RW、DVD-RW和更舊的磁帶和鼓存儲器，由于諸如磁盤旋轉速度和手臂移動等機械限制，讀寫數據項所需的時間根據其在記錄介質上的物理位置而有很大不同。

隨機存取存儲器包含多路復用和多路分解電路，用于將數據線連接到尋址的存儲器，以讀取或寫入條目。通常，同一地址訪問的存儲空間不止一位，而RAM設備通常具有多條數據線，并且被稱為“ 8位”或“ 16位”等設備。

在當今的技術中，隨機存取存儲器采用具有MOS（金屬氧化物半導體）存儲單元的集成電路（IC）芯片的形式。隨機存取存儲器通常與易失性類型的內存（例如動態隨機存取存儲器（DRAM）模塊）相關聯，盡管已經開發了非易失性隨機存取存儲器，但如果斷電，則會丟失存儲的信息。存在其他類型的非易失性存儲器，它們允許對讀取操作進行隨機訪問，但要么不允許寫入操作，要么對其具有其他種類的限制。其中包括大多數類型的ROM和一種閃存稱為NOR-Flash。

易失性隨機存取半導體存儲器的兩種主要類型是靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）。半導體RAM的商業用途可以追溯到1965年，當時IBM為他們的System / 360 Model 95計算機引入了SP95 SRAM芯片，而東芝則為其Toscal BC-1411電子計算器使用了DRAM存儲單元，兩者均基于雙極晶體管。基于MOS晶體管的商用MOS存儲器是在1960年代后期開發的，此后一直是所有商用半導體存儲器的基礎。1970年10月推出了xxx款商用DRAM IC芯片Intel 1103。同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）后來于1992年與三星KM48SL2000芯片一起首次亮相。

所述的本發明，MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管），也被稱為MOS晶體管，由穆罕默德M. Atalla和達沃·卡在貝爾實驗室，1959年導致的發展金屬氧化物半導體（MOS）由John施密特存儲器在仙童半導體公司在1964年除了更高的性能，MOS半導體存儲器是便宜和消耗比磁芯存儲器更少的功率。費德里科·法金（Federico Faggin）開發的硅柵?MOS集成電路（MOS IC）技術1968年在仙童半導體公司（Fairchild）啟用了MOS存儲芯片的生產。在1970年代初期，MOS存儲器已取代磁芯存儲器成為主導的存儲器技術。

1963年，Fairchild Semiconductor的Robert H. Norman發明了集成的雙極靜態隨機存取存儲器（SRAM）。1964年，Fairchild的John Schmidt發明了MOS SRAM。SRAM成為了一種替代磁芯內存，但需要6個MOS晶體管的每個比特的數據。SRAM的商業使用始于1965年，當時IBM為System / 360 Model 95推出了SP95存儲芯片。

動態隨機存取存儲器（DRAM）允許為每個存儲位用單個晶體管替換4或6晶體管的鎖存電路，從而xxx增加了存儲密度，但又增加了波動性。數據存儲在每個晶體管的微小電容中，必須每隔幾毫秒定期刷新一次，然后電荷才能泄漏出去。東芝于1965年推出的Toscal BC-1411電子計算器，使用了一種電容性雙極DRAM形式，將180位數據存儲在由鍺雙極晶體管和電容器組成的離散存儲單元中。盡管雙極DRAM提供了比磁芯存儲器更高的性能，但它無法與當時占主導地位的磁芯存儲器的較低價格競爭。

MOS技術是現代DRAM的基礎。1966年，博士羅伯特·丹納德在IBM Thomas J. Watson研究中心正在對MOS內存。在檢查MOS技術的特性時，他發現它可以構建電容器，并且在MOS電容器上存儲電荷或不存儲電荷可以表示1和0，而MOS晶體管可以控制將電荷寫入到MOS電容器。這導致他開發了單晶體管DRAM存儲單元。1967年，丹納德（Denard）在IBM下申請了一項基于MOS技術的單晶體管DRAM存儲單元的專利。xxx個商用DRAM IC芯片是Intel 1103，它是它是在8??μm?MOS工藝上制造的，容量為1?Kibit，并于1970年發布。

同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）由Samsung Electronics開發。xxx個商用SDRAM芯片是三星KM48SL2000，其容量為16?Mibit。它由三星于1992年推出，并于1993年投入量產。xxx個商用DDR SDRAM（雙倍數據速率SDRAM）存儲芯片是1998年6月發布的三星64?Mibit DDR SDRAM芯片。GDDR（圖形DDR）是DDR?SGRAM（同步圖形RAM）的一種形式，它于1998年由三星作為16?Mibit存儲芯片首次發布。

正在開發幾種新型的非易失性隨機存取存儲器，它們在掉電時可保留數據。使用的技術包括碳納米管和利用隧道磁阻的方法。在xxx代MRAM中，2003年夏天采用0.18 μm技術制造了128?KiB（128×2?¹⁰字節）芯片。2004年6月，英飛凌科技公司推出了16??MiB（16×2?²⁰字節）芯片。原型再次基于0.18 μm技術。當前正在開發兩種第二代技術：Crocus Technology正在開發的熱輔助開關（TAS），以及Crocus、Hynix、IBM和其他幾家公司正在開發的自旋轉移轉矩（STT）。Nantero于2004年建立了一個功能正常的碳納米管存儲器原型10??GiB（10×2?³⁰字節）陣列。其中某些技術最終能否從DRAM、SRAM或閃存技術中獲得顯著的市場份額，仍然存在待觀察。

自2006年以來，已經出現了容量超過256 GB且性能遠遠超過傳統磁盤的“固態驅動器”（基于閃存）。這種發展已開始模糊傳統隨機存取存儲器和“磁盤”之間的定義，從而xxx減少了性能差異。

某些類型的隨機存取存儲器，例如“?EcoRAM?”，是專門為服務器場設計的，在服務器場中，低功耗比速度更重要。