電腦內存，是一種用于存儲信息以供計算機或相關計算機硬件和數字電子設備立即使用的設備或系統。術語內存通常與術語主存儲器或主存儲器同義。記憶的古老同義詞是store。

與較慢但提供更高容量的存儲相比，計算機內存以高速運行。如果需要，可以將計算機內存中的內容轉移到存儲中；執行此操作的常用方法是通過稱為虛擬內存的內存管理技術。

現代存儲器被實現為半導體存儲器，存儲數據內的存儲器單元從內置MOS晶體管和其他部件的上集成電路。有兩種主要的半導體存儲器，易失性和非易失性。非易失性存儲器的示例是閃存和ROM、PROM、EPROM和EEPROM存儲器。易失性存儲器的例子是動態隨機存取存儲器(DRAM)用于主存儲，靜態隨機存取存儲器(SRAM)用于CPU緩存。

大多數半導體存儲器被組織成每個存儲一位（0或1）的存儲單元。閃存組織包括每個存儲單元一位和每個單元能夠存儲多個位的多級單元。存儲單元被分組為固定字長的字，例如，1、2、4、8、16、32、64或128位。每個字都可以通過N位的二進制地址訪問，從而可以在內存中存儲2N個字。

易失性存儲器是需要電力來維持存儲信息的計算機存儲器。大多數現代半導體易失性存儲器是靜態RAM(SRAM)或動態RAM(DRAM)。只要連接電源，SRAM就會保留其內容，并且接口更簡單，但每位使用六個晶體管。動態RAM的接口和控制更加復雜，需要定期刷新周期以防止丟失其內容，但每位只使用一個晶體管和一個電容器，使其能夠達到更高的密度和更便宜的每位成本。

SRAM不適合用于DRAM占主導地位的桌面系統內存，但用于它們的高速緩存。SRAM在小型嵌入式系統中很常見，它可能只需要幾十KB或更少。試圖與SRAM和DRAM競爭或取代的易失性存儲器技術包括Z-RAM和A-RAM。

非易失性存儲器是計算機存儲器，即使在未通電的情況下也能保留存儲的信息。非易失性存儲器的例子包括只讀存儲器（見ROM）、閃存、大多數類型的磁性計算機存儲設備（例如硬盤驅動器、軟盤和磁帶）、光盤和早期的計算機存儲方法，如紙張膠帶和穿孔卡片。

即將推出的非易失性存儲器技術包括FERAM、CBRAM、PRAM、STT-RAM、SONOS、RRAM、賽道存儲器、NRAM、3DXPoint和千足蟲存儲器。

第三類存儲器是“半易失性”。該術語用于描述在斷電后具有一定非易失性持續時間有限但數據最終會丟失的存儲器。使用半易失性存儲器的典型目標是提供高性能/耐用性等。與易失性存儲器相關聯，同時提供真正的非易失性存儲器的一些好處。

例如，一些非易失性存儲器類型可能會磨損，其中“磨損”的單元增加了易失性，但在其他方面繼續工作。因此可以將頻繁寫入的數據位置定向到使用磨損的電路。只要位置在某個已知保留時間內更新，數據就會保持有效。如果保留時間在沒有更新的情況下“到期”，則該值將被復制到具有較長保留時間的磨損較少的電路中。首先寫入磨損區域允許高寫入速率，同時避免未磨損電路的磨損。

作為第二個例子，可以通過構建大型單元使STT-RAM成為非易失性的，但每比特成本和寫入功率會上升，而寫入速度會下降。使用小型單元可提高成本、功率和速度，但會導致半易失性行為。在某些應用中，可以管理增加的易失性以提供非易失性存儲器的許多好處，例如通過斷電但在數據丟失之前強制喚醒；或者，如果斷電時間超過非易失性閾值，則緩存只讀數據并丟棄緩存的數據。

術語半易失性也用于描述由其他存儲器類型構建的半易失性行為。例如，可以組合易失性和非易失性存儲器，其中外部信號將數據從易失性存儲器復制到非易失性存儲器，但是如果在沒有復制的情況下斷電，則數據丟失。或者，電池供電的易失性存儲器，如果外部電源斷電，則在某個已知時間段內，電池可以繼續為易失性存儲器供電，但如果電源關閉時間過長，電池電量將耗盡并且數據會丟失。