非易失性存儲器是一種計算機存儲器，即使在斷電后也能保留存儲的信息。相比之下，易失性存儲器需要持續供電才能保留數據。

非易失性存儲器通常是指存儲在半導體存儲芯片中，將數據存儲在由浮柵MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）組成的浮柵存儲單元中，包括閃存存儲，例如NAND閃存和固態-狀態驅動器（SSD）。

非易失性存儲器的其他示例包括只讀存儲器(ROM)、EPROM（可擦除可編程ROM）和EEPROM（電可擦除可編程ROM）、鐵電RAM、大多數類型的計算機數據存儲設備（例如磁盤存儲器、硬盤驅動器、光盤、軟盤和磁帶），以及早期的計算機存儲方法，如穿孔帶和卡片。

非易失性存儲器通常用于二級存儲或長期持久存儲的任務。當今最廣泛使用的主存儲形式是一種易失性形式的隨機存取存儲器(RAM)，這意味著當計算機關閉時，RAM中包含的任何內容都會丟失。然而，大多數形式的非易失性存儲器都有局限性，使其不適合用作主存儲器。通常，與易失性隨機存取存儲器相比，非易失性存儲器成本更高、性能更低或壽命有限。

非易失性數據存儲可分為電尋址系統（只讀存儲器）和機械尋址系統（硬盤、光盤、磁帶、全息存儲器等）。一般來說，電尋址系統價格昂貴，容量有限，但速度快，而機械尋址系統每比特成本較低，但速度較慢。

電尋址半導體非易失性存儲器可根據其寫入機制進行分類。MaskROM只能在工廠編程，通常用于制造后不需要更新的大容量產品。可編程只讀存儲器在制造后可以更改，但需要特殊的編程器，并且通常無法在目標系統中進行編程。編程是xxx性的，進一步的更改需要更換設備。數據是通過物理更改（燒錄）設備中的存儲位置來存儲的。

一個EPROM是可擦寫光盤，可以多次改變。但是，將新數據寫入EPROM需要特殊的編程器電路。EPROM有一個石英窗口，可以用紫外光擦除它們，但整個設備會一次性清除。甲一次性可編程（OTP）裝置可以使用沒有該石英窗口的EPROM芯片中實現;這制造成本較低。電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM使用電壓擦除存儲器。這些可擦除存儲設備需要大量時間來擦除數據和寫入新數據；它們通常不被配置為由目標系統的處理器進行編程。數據通過使用浮柵晶體管存儲這需要特殊的工作電壓來捕獲或釋放絕緣控制柵極上的電荷以存儲信息。

閃存是一種固態芯片，無需任何外部電源即可保持存儲的數據。它與EEPROM是近親；不同之處在于擦除操作必須以塊為單位進行，并且容量遠大于EEPROM的容量。閃存設備使用兩種不同的技術——NOR和NAND——來映射數據。NORflash提供高速隨機存取，在特定內存位置讀寫數據；它可以檢索到一個字節。NAND閃存以高速順序讀取和寫入，以塊為單位處理數據，但與NOR相比，讀取速度較慢。NAND閃存讀取速度快于寫入速度，可快速傳輸整頁數據。NAND技術在高密度下比NOR閃存便宜，可為相同尺寸的硅提供更高的容量。

鐵電RAM（FeRAM、F-RAM或FRAM）是一種結構類似于DRAM的隨機存取存儲器，均使用電容器和晶體管，但不是使用簡單的介電層電容器，F-RAM單元包含一個薄鋯鈦酸鉛鐵電薄膜[Pb(Zr,Ti)O3]，通常稱為PZT。PZT中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產生二元開關。由于PZT晶體保持極性，當電源關閉或中斷時，F-RAM會保留其數據存儲器。

由于這種晶體結構及其影響方式，F-RAM提供了與其他非易失性存儲器選項不同的特性，包括極高但不是無限的耐久性（超過10163.3V設備的讀/寫周期）、超低功耗（因為F-RAM不像其他非易失性存儲器那樣需要電荷泵）、單周期寫入速度和伽馬輻射耐受性。

磁阻RAM將數據存儲在稱為磁隧道結(MTJ)的磁存儲元件中。xxx代MRAM，例如EverspinTechnologies的4Mbit，利用了場致寫入。第二代主要通過兩種方法開發：CrocusTechnology正在開發的熱輔助開關(TAS)和Crocus、Hynix、IBM和其他幾家公司正在開發的自旋轉移扭矩(STT)。

相變存儲器將數據存儲在硫屬化物玻璃中，通過加熱和冷卻玻璃來實現非晶態和晶態之間的可逆相變。的結晶狀態具有低電阻和非晶相具有高的電阻，這允許電流被切換ON和OFF來表示數字“1”和“0”的狀態。

FeFET存儲器使用帶有鐵電材料的晶體管來xxx保持狀態。