異常晶粒生長，是一種晶粒生長現象，通過這種現象，某些能量有利的晶粒（微晶）在更細晶粒的基質中快速生長，從而導致雙峰晶粒尺寸分布。

在陶瓷材料中，這種現象會導致在致密基體中形成細長的棱柱狀、針狀（針狀）晶粒，通過裂紋擴展的阻抗提高斷裂韌性。

異常晶粒生長(AGG)出現在金屬或陶瓷系統中，表現出多種特征中的一種或多種。

1. 高于特定閾值濃度的第二相夾雜物、沉淀物或雜質。
2. 散裝材料中固/液界面能或晶界能（固/固）的高各向異性。
3. 薄膜材料中的高各向異性表面能。
4. 高度化學不平衡。

盡管我們對AGG現象的基本理解仍然存在許多差距，但在所有情況下，異常晶粒生長都是由于非常高的局部界面遷移率而發生的，并且由于在晶界處局部形成液體而增強。

異常晶粒生長通常被記錄為陶瓷材料燒結過程中發生的不良現象，因為快速生長的晶粒可能會通過霍爾佩奇型效應降低大塊材料的硬度。然而，受控引入摻雜劑以產生受控的AGG可用于在陶瓷材料中賦予纖維增韌。在壓電陶瓷中，AGG的出現可能會導致壓電效應的退化，因此在這些系統中避免了AGG。

在金紅石TiO2中觀察到異常晶粒生長，這是由鋯石第二相的存在引起的。

1. 金紅石(TiO2)經常表現出棱柱狀或針狀生長習性。在堿性摻雜劑或固態ZrSiO4摻雜劑存在下，已經觀察到金紅石以異常大晶粒的形式從母體銳鈦礦相材料中結晶，存在于更細的等軸銳鈦礦或金紅石晶粒的基質中。
2. 氧化鋁，鋁2?3與二氧化硅和/或氧化釔的摻雜劑/雜質已經被報道顯示出不希望的AGG。
3. 已知具有過量TiO2的BaTiO3鈦酸鋇表現出異常的晶粒生長，對這種材料的壓電性能產生深遠的影響。
4. 據報道，在晶界處存在液態含鈷相時，碳化鎢會表現出小面晶粒的AGG
5. 取決于α-Si3N4前體中β相材料的尺寸分布，氮化硅(Si3N4)可表現出AGG。這種類型的晶粒生長對于氮化硅材料的增韌很重要
6. 由于AGG工藝產生細長的裂紋尖端/尾流橋接晶粒，碳化硅已顯示出改善的斷裂韌性，這對彈道裝甲的應用產生了影響。這種基于裂紋橋接的增強的陶瓷材料的斷裂韌性表現出AGG與報道的陶瓷裂紋擴展的形態效應一致
7. 眾所周知，用于電光和電介質應用的鈮酸鍶鋇表現出AGG，對材料的電子性能產生重大影響
8. 已觀察到摻雜有BaO的鈦酸鈣（CaTiO3，鈣鈦礦）系統表現出AGG，但由于固相之間的多型界面而不會形成液體