結型場效應晶體管（結型場效應管）是最簡單的一種場效應晶體管。 結構型應用管是三端半導體器件，可用作電子控制開關或電阻器，或用于構建放大器。

與雙極結型晶體管不同，結型場效應管完全由電壓控制，因為它們不需要偏置電流。 電荷流過源極和漏極端子之間的半導體通道。 通過向柵極端子施加反向偏置電壓，溝道被夾緊，從而電流被阻礙或完全切斷。 當柵極和源極端子之間的電壓為零時，結構效應管通常會導通。 如果在其柵極和源極端子之間施加適當極性的電勢差，則結構效應管對電流流動的阻力更大，這意味著源極和漏極端子之間的溝道中流動的電流更少。

結構效應管有時被稱為耗盡型器件，因為它們依賴于耗盡區原理，即沒有多數載流子。 耗盡區必須關閉才能使電流流動。

結構有效應用管可以具有 n 型或 p 型通道。 在n型中，如果施加到柵極的電壓相對于源極為負，則電流將減小（在p型中類似，如果施加到柵極的電壓相對于源極為正）。 由于共源或共漏配置中的結構效應管具有較大的輸入阻抗（有時約為 1010 歐姆），因此從用作柵極輸入的電路中汲取的電流很少。

Julius Lilienfeld 在 1920 年代和 1930 年代為一系列類似 FET 的器件申請了專利。 然而，材料科學和制造技術需要數十年的進步才能真正制造 FET。

結構場效應管于 1945 年由 Heinrich Welker 首次申請專利。在 1940 年代，研究人員 John Bardeen、Walter Houser Brattain 和 William Shockley 試圖構建 FET，但多次嘗試均以失敗告終。 他們在試圖診斷故障原因的過程中發現了點接觸晶體管。 繼肖克利在 1952 年對模型場效管理的理論處理之后，George C. Dacey 和 Ian M. Ross 于 1953 年提出了實用的模型場效管理。 日本工程師 Jun-ichi Nishizawa 和 Y. Watanabe 于 1950 年為一種名為靜電感應晶體管 (SIT) 的類似設備申請了專利。 SIT 是一種具有短通道的結型場效應管。

隨著 2008 年碳化硅 (SiC) 寬帶隙器件的商業化應用，采用結構效應管的高速、高壓開關在技術上變得可行。由于早期制造困難——特別是不一致和低產量—— SiC 結型場效應管最初仍然是一種小眾產品，成本也相應較高。 到 2018 年，這些制造問題已基本解決。 到那時，SiC 結型場效應管也普遍與傳統的低壓硅 MOSFET 結合使用。 在這種組合中，SiC 結型場效應管 + Si MOSFET 器件具有寬帶隙器件的優點以及 MOSFET 易于柵極驅動。

結構場效應管是半導體材料的長通道，摻雜有大量正電荷載流子或空穴（p 型），或負載流子或電子（n 型）。 兩端的歐姆接觸形成源極 (S) 和漏極 (D)。 pn 結形成在溝道的一側或兩側，或使用摻雜與溝道相反的區域圍繞它，并使用歐姆柵極接觸 (G) 進行偏置。

模型場效管的操作可以比作花園水管。 可以通過擠壓軟管以減小橫截面來控制流過軟管的水流，并通過收縮載流通道來控制通過結構效應管的電荷流。 電流還取決于源極和漏極之間的電場（類似于軟管兩端的壓力差）。 圖中所示的特定施加電壓上方的特性不支持這種電流依賴性。

這是飽和區，結構效應管通常在這個恒流區運行，器件電流幾乎不受漏源電壓的影響。 結型場效應管與結型晶體管和熱電子管（閥）四極管和五極管共享這種恒流特性。

導電溝道的收縮是使用場效應完成的：在柵極和源極之間施加電壓以反向偏置柵極 - 源極 pn 結，從而加寬該結的耗盡層（見上圖），侵占 導電通道并限制其橫截面積。 之所以稱為耗盡層，是因為它耗盡了移動載流子，因此在實際應用中是不導電的。