金屬半導場效應管（金屬-半導體場效應晶體管）是一種場效應晶體管半導體器件，類似于具有肖特基（金屬-半導體）結而不是用于柵極的 p-n 結的 JFET。

金屬半導場效應管采用缺乏高質量表面鈍化的化合物半導體技術構建，例如砷化鎵、磷化銦或碳化硅，比硅基 JFET 或 MOSFET 速度更快但更昂貴。 生產的金屬半導場效應管的工作頻率高達大約 45 GHz，通常用于微波頻率通信和雷達。 1966 年開發出xxx批金屬半導場效應管，一年后展示了其極高頻率的 RF 微波性能。

金屬半導場效應管與 JFET 類似，與常見的絕緣柵 FET 或 MOSFET 的不同之處在于，在有源開關區域上方的柵極下方沒有絕緣體。 這意味著在晶體管模式下，金屬半導場效應管柵極應該被偏置，使得一個具有控制底層溝道的反向偏置耗盡區，而不是通向溝道的正向導電金屬半導體二極管。

雖然這種限制抑制了某些電路的可能性，因為柵極必須保持反向偏置，因此不能超過一定的正向偏置電壓，但如果保持在設計限制的范圍內，金屬半導體器件的模擬和數字設備可以很好地工作。 設計中最關鍵的方面是開關區域上的柵極金屬范圍。 一般來說，門控調制載波通道越窄，整體頻率處理能力越好。

源極和漏極相對于柵極的間距以及柵極的橫向范圍很重要，但設計參數的關鍵性稍差。 金屬半導場效應管電流處理能力隨著柵極橫向拉長而提高，保持有源區不變，但是由于傳輸線效應而受到沿著柵極的相移的限制。 結果，大多數生產金屬半導體場效應管在柵極上使用低電阻金屬的堆積頂層，通常在橫截面中產生蘑菇狀輪廓。

已經為各種各樣的半導體系統探索了許多金屬半導體場效應管制造的可能性。 一些主要應用領域是軍事通信，作為軍用雷達設備和通信、商業光電、衛星通信中微波接收器的前端低噪聲放大器，作為微波鏈路輸出級的功率放大器，以及作為功率振蕩器。