功率 MOSFET 是一種特殊類型的金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)，旨在處理高功率水平。 與絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 或晶閘管等其他功率半導體器件相比，其主要優點是開關速度快，低電壓下效率高。 它與 IGBT 共享一個隔離門，使其易于驅動。 它們可能會受到低增益的影響，有時增益會達到柵極電壓需要高于受控電壓的程度。

自 1960 年代以來用于制造集成電路的 MOSFET 和 CMOS 技術的發展使功率 MOSFET 的設計成為可能。 功率 MOSFET 與其低功率對應物橫向 MOSFET 共享其工作原理。 功率電子設備中常用的功率 MOSFET 是從標準 MOSFET 改編而來，并于 1970 年代投入商用。

功率 MOSFET 是世界上最常見的功率半導體器件，由于其低柵極驅動功率、快速開關速度、易于高級并聯能力、寬帶寬、堅固耐用、易于驅動、簡單偏置、易于應用和易于維修 . 特別是，它是使用最廣泛的低壓（低于 200 V）開關。 它可以在廣泛的應用中找到，例如大多數電源、DC-DC 轉換器、低壓電機控制器和許多其他應用。

MOSFET 于 1959 年由貝爾實驗室的 Mohamed Atalla 和 Dawon Kahng 發明。它是電力電子領域的一項突破。 幾代 MOSFET 使電源設計人員能夠實現雙極晶體管無法達到的性能和密度水平。

1969 年，日立推出了xxx款垂直功率 MOSFET，后來被稱為 VMOS（V 型槽 MOSFET）。 同年，電工實驗室（ETL）的 Y. Tarui、Y. Hayashi 和 Toshihiro Sekigawa 首次報道了具有自對準柵極的 DMOS（雙擴散 MOSFET）。 1974年，東北大學的Jun-ichi Nishizawa發明了用于音頻的功率MOSFET，很快被雅馬哈公司制造用于他們的高保真音頻放大器。 JVC、先鋒公司、索尼和東芝也于 1974 年開始制造帶有功率 MOSFET 的放大器。Siliconix 于 1975 年推出了商業化的 VMOS。

VMOS 和 DMOS 發展成為眾所周知的 VDMOS（垂直 DMOS）。 John Moll 在惠普實驗室的研究團隊于 1977 年制造了 DMOS 原型，并展示了優于 VMOS 的優勢，包括更低的導通電阻和更高的擊穿電壓。 同年，日立推出了平面型 DMOS LDMOS（橫向 DMOS）。 日立是1977年至1983年間xxx的LDMOS制造商，期間LDMOS被HH Electronics（V系列）和Ashly Audio等制造商用于音頻功率放大器，并用于音樂和公共廣播系統。 隨著1995年2G數字移動網絡的推出，LDMOS成為2G、3G、4G等移動網絡中應用最廣泛的射頻功率放大器。

Alex Lidow 于 1977 年在斯坦福大學與 Tom Herman 共同發明了 HexFET，一種六角型的功率 MOSFET。 HexFET 于 1978 年由 International Rectifier 商業化。絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 結合了功率 MOSFET 和雙極結型晶體管 (BJT) 的元件，由通用電氣的 Jayant Baliga 在 1977 年至 1979 年間開發。

超級結MOSFET是一種功率MOSFET，它使用穿透N-外延層的P+柱。 堆疊 P 層和 N 層的想法最早是由 Shozo Shirota 和 Shigeo Kaneda 于 1978 年在大阪大學提出的。飛利浦的 David J. Coe 于 1984 年申請了美國專利，發明了具有交替 p 型和 n 型層的超結 MOSFET 于1988年頒發。

功率MOSFET是世界上應用最廣泛的功率半導體器件。 截至 2010 年，功率 MOSFET 占功率晶體管市場的 53%，xxx于絕緣柵雙極晶體管 (27%)、射頻功率放大器 (11%) 和雙極結型晶體管 (9%)。 截至 2018 年，每年出貨超過 500 億個功率 MOSFET。 其中包括截至 2017 年 2 月售出超過 1000 億個的溝槽功率 MOSFET，以及截至 2019 年售出 50 億個的意法半導體的 MDmesh（超結 MOSFET）。

效率 MOSFET 通常用于各種消費電子產品。

射頻 DMOS，也稱為射頻功率 MOSFET，是一種專為射頻 (RF) 應用而設計的 DMOS 功率晶體管。 它用于各種無線電和射頻應用。

效率 MOSFET 廣泛應用于交通技術，其中包括各種車輛。

在汽車行業，功率MOSFET廣泛應用于汽車電子。

效率 MOSFET（包括 DMOS、LDMOS 和 VMOS）通常用于廣泛的其他應用。