晶閘管 (/θa??r?st?r/) 是一種固態半導體器件，具有四層交替的 P 型和 N 型材料，用于高功率應用。：‰12‰ 它專門用作雙穩態開關（或鎖存器），：‰12 當柵極接收到電流觸發時導通，并繼續導通，直到器件兩端的電壓反向偏置，或直到電壓被移除（通過某種其他方式）。： 12 有兩種設計，觸發導通狀態的不同之處在于 . 在三引線晶閘管中，其柵極引線上的小電流控制陽極到陰極路徑的較大電流。 在雙引線晶閘管中，當陽極和陰極本身之間的電位差足夠大（擊穿電壓）時開始導通。

一些來源將可控硅整流器 (SCR) 和晶閘管定義為同義詞。 其他來源將晶閘管定義為更復雜的器件，其中包含至少四層交替的 N 型和 P 型基板。

xxx個晶閘管器件于 1956 年投入商用。由于晶閘管可以用較小的器件控制相對較大的功率和電壓，因此它們在電力控制方面得到廣泛應用，從調光器和電動機速度控制到高壓 直流輸電。 晶閘管可用于電源開關電路、繼電器替代電路、逆變器電路、振蕩器電路、電平檢測器電路、斬波器電路、調光電路、低成本定時器電路、邏輯電路、速度控制電路、相位 - 控制電路等。原來，晶閘管僅靠電流反轉來關斷，難以應用直流電； 較新的設備類型可以通過控制門信號打開和關閉。 后者被稱為門極可關斷晶閘管，或 GTO 晶閘管。 與晶體管不同，晶閘管具有雙值開關特性，這意味著晶閘管只能完全導通或完全關閉，而晶體管可以介于導通和截止狀態之間。 這使得晶閘管不適合用作模擬放大器，但可用作開關。

晶閘管是一種四層三端半導體器件，每層由交替的N型或P型材料組成，例如P-N-P-N。 標記為陽極和陰極的主要端子橫跨所有四層。 稱為柵極的控制端子連接到陰極附近的 p 型材料。 （一種稱為 SCS（硅控開關）的變體將所有四個層都引出到端子。）晶閘管的操作可以理解為一對緊密耦合的雙極結型晶體管，它們被安排成自鎖動作：

晶閘管有三種狀態：

• 反向阻斷模式——在二極管會阻斷的方向上施加電壓
• 正向阻斷模式 – 電壓施加的方向會導致二極管導通，但晶閘管未被觸發導通
• 正向導通模式 – 晶閘管已被觸發導通并將保持導通狀態，直到正向電流降至低于稱為保持電流的閾值

晶閘管具有三個p-n結（從陽極開始依次命名為J1、J2、J3）。

當陽極相對于陰極處于正電位 VAK 且柵極未施加電壓時，結 J1 和 J3 正向偏置，而結 J2 反向偏置。 由于 J2 反向偏置，因此不會發生導通（關閉狀態）。 現在，如果 VAK 增加到超過晶閘管的擊穿電壓 VBO，J2 就會發生雪崩擊穿，晶閘管開始導通（導通狀態）。

如果在相對于陰極的柵極端子處施加正電位 VG，則結 J2 的擊穿發生在較低的 VAK 值處。 通過選擇合適的VG值，可使晶閘管快速切換到導通狀態。

一旦發生雪崩擊穿，無論柵極電壓如何，晶閘管都會繼續導通，直到：(a) 消除電位 VAK 或 (b) 通過器件（陽極-陰極）的電流變得小于由下式指定的保持電流 生產廠家。 因此，VG 可以是電壓脈沖，例如 UJT 張弛振蕩器的電壓輸出。

柵極脈沖的特征在于柵極觸發電壓 (VGT) 和柵極觸發電流 (IGT)。 門極觸發電流與門極脈沖寬度成反比，很明顯觸發晶閘管需要最小門極電荷。

在傳統的晶閘管中，一旦它被柵極端子導通，器件就會保持在導通狀態（即不需要持續提供柵極電流來保持導通狀態），前提是陽極電流超過 閉鎖電流（IL）。