氧化物薄膜晶體管（氧化物TFT）或金屬氧化物薄膜晶體管是一種薄膜晶體管，其中半導體是金屬氧化物化合物。 氧化物 TFT 不同于金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET)，其中氧化物一詞指的是絕緣柵極電介質（通常為二氧化硅）。 在氧化物 TFT 中，氧化物一詞指的是半導體。 氧化物 TFT 可用作放大器以向顯示器背板中的發射器輸送電流。

1964 年，飛利浦研究實驗室的 Klasens 和 Koelmans 報道了xxx個使用金屬氧化物作為半導體的晶體管。 然而，在此之后的幾十年里，氧化物 TFT 很少被再次考慮。 直到 2000 年初，研究透明導電氧化物的 Hideo Hosono 才發現硫氧化物和氧化銦鎵鋅可以用作 TFT 中的半導體。 不久之后，俄勒岡州立大學的 John Wager 報道了使用二元氧化物氧化鋅作為半導體的氧化物 TFT。

氧化物具有多種特性，使其優于氫化非晶硅 (a-Si:H)，后者是 2000 年代初期的主流 TFT 技術。 首先，氧化物 TFT 的電子遷移率大約高 100 倍。 因為晶體管中的源極-漏極電流與電子遷移率成線性比例，所以放大特性也是如此。 這樣做的結果是可以使用更小的晶體管來提供相同的電流。 在顯示器中，這意味著更高的分辨率和切換速度是可能的。

a-Si:H 還存在環境穩定性問題，例如 Staebler-Wronski 效應。 由于氧化物已經被氧化，它們通常對環境更穩定，但它們確實會經歷一種稱為負偏置照明應力 (NBIS) 的現象，即閾值電壓在恒定照明下會發生變化。

大多數 n 型（電子傳輸）氧化物 TFT 使用具有寬帶隙的半導體； 一般大于 3 eV。 因此，它們在全透明電子產品中的應用很有吸引力。 它們的寬帶隙也意味著它們具有低關斷電流，因此具有高開/關比； 明確定義的開啟和關閉狀態的理想屬性。

氧化物 TFT 的一個顯著缺點是 p 型（空穴傳輸）金屬氧化物半導體非常少。 雖然在為發射器提供放大時不是一個重大問題，但這確實意味著氧化物半導體不太適合互補邏輯，因此也不太適合信息處理。

金屬氧化物半導體通常使用濺射沉積，這是一種基于真空的生長技術，可形成非晶或多晶層。 氧化物也可以從溶液中沉積，例如通過旋涂或噴涂。

一些公司已經采用氧化物 TFT 作為顯示驅動器的平臺。 特別是 2012 年的夏普和 2013 年的蘋果。