結溫是晶體管結溫的縮寫，是電子設備中實際半導體的最高工作溫度。 在操作中，它高于外殼溫度和零件外部的溫度。 差值等于從結點傳遞到外殼的熱量乘以結點到外殼的熱阻。

半導體材料的各種物理特性與溫度有關。 這些包括摻雜元素的擴散速率、載流子遷移率和電荷載流子的熱產生。 在低端，可以通過低溫冷卻降低傳感器二極管噪聲。 在高端，由此導致的局部功耗增加會導致熱失控，從而導致瞬態或xxx性設備故障。

xxx結溫（有時縮寫為 TJMax）在部件的數據表中指定，并在計算給定功率耗散的必要外殼到環境熱阻時使用。 如果適用，這又用于選擇合適的散熱器。 其他冷卻方法包括熱電冷卻和冷卻劑。

在英特爾、AMD、高通等制造商的現代處理器中，核心溫度由傳感器網絡測量。 每當溫度傳感網絡確定即將超過指定結溫（ T J {displaystyle T_{J}} ）時，時鐘門控、時鐘延長、時鐘速度降低等措施（通常稱為 熱節流）用于防止溫度進一步升高。 如果應用的機制不足以補償處理器保持在結溫以下，則設備可能會關閉以防止xxx損壞。

芯片結溫的估算值 T J {displaystyle T_{J}} 可以從以下等式獲得：

T J = T A + ( R θ J A P D ) {displaystyle T_{J}=T_{A}+(R_{theta JA}P_{D})}

其中： T A {displaystyle T_{A}} = 封裝的環境溫度（°C）

R θ J A {displaystyle R_{theta JA}} = 結至環境熱阻 ( °C / W )

P D {displaystyle P_{D}} = 封裝功耗 (W)

許多半導體及其周圍的光學器件都很小，因此很難用熱電偶和紅外攝像機等直接方法測量結溫。

可以使用設備固有的電壓/溫度依賴特性間接測量結溫。 結合 JESD 51-1 和 JESD 51-51 等聯合電子設備工程委員會 (JEDEC) 技術，該方法將產生準確的 T J {displaystyle T_{J}} 測量值。 然而，由于高共模電壓和對快速、高占空比電流脈沖的需求，這種測量技術難以在多 LED 串聯電路中實施。 這個困難可以通過組合高速采樣數字萬用表和快速高兼容性脈沖電流源來克服。

一旦結溫已知，另一個重要參數，熱阻 (Rθ)，可使用以下等式計算：

R θ = Δ T V f I f {displaystyle R_{theta }={frac {Delta T}{V_{f}I_{f}}}}

LED 或激光二極管的結溫 (Tj) 是長期可靠性的主要決定因素； 它也是測光的關鍵因素。 例如，結溫升高 50°C 時，典型的白色 LED 輸出會下降 20%。 由于這種溫度敏感性，LED 測量標準（如 IESNA 的 LM-85）要求在進行光度測量時確定結溫。

通過使用 LM-85 中指定的連續脈沖測試方法，可以xxx限度地減少這些設備中的結溫。 使用歐司朗黃色 LED 進行的 L-I 掃描表明，單脈沖測試方法測量產生的光通量輸出下降 25%，直流測試方法測量產生 70% 的下降。