p-n 結的小注條件，在物理學和電子學中，是指材料中產生的少數載流子數量少于多數載流子的狀態。 半導體的多數載流子濃度將保持（相對）不變，而少數載流子濃度將大幅增加。 在這種情況下，少數載流子復合率是線性的。

在載流子注入條件下，半導體必須滿足以下等式：

n = Δ n + n 0 , {\displaystyle n=\Delta n+n_{0},}

其中 n {\displaystyle n} 是電子數，Δ n {\displaystyle \Delta n} 是注入半導體的過剩載流子，n 0 {\displaystyle n_{0}} 是平衡濃度 半導體中的電子

以下關系也必須成立，因為對于每個注入的電子，還必須創建一個空穴以保持電荷平衡：

Δ n = Δ p 。 {\displaystyle \Delta n=\Delta p.}

可以對 n 型半導體做出低水平注入的假設，它以下列方式影響方程：

相比之下，高注入半導體意味著產生的載流子數量與材料的背景摻雜密度相比較大。 在這種情況下，少數載流子的復合率與載流子數的平方成正比。