薄膜電阻是標稱厚度均勻的薄膜電阻的量度。 它通常用于表征由半導體摻雜、金屬沉積、電阻漿料印刷和玻璃鍍膜制成的材料。 這些工藝的例子有：摻雜的半導體區域（例如，硅或多晶硅），以及絲網印刷到厚膜混合微電路基板上的電阻器。

與電阻或電阻率相反，薄層電阻的用途是使用四端傳感測量（也稱為四點探針測量）直接測量，或使用基于非接觸式渦流的測試設備間接測量 . 薄膜電阻在薄膜接觸的縮放下不變，因此可用于比較尺寸明顯不同的器件的電氣特性。

薄膜電阻適用于薄膜被視為二維實體的二維系統。 當使用薄層電阻這個術語時，意味著電流是沿著薄層的平面，而不是垂直于薄層的。

• ρ {\displaystyle \rho } 是材料電阻率，
• A {\displaystyle A} 是橫截面積，
• L {\displaystyle L} 是長度。
• 橫截面積可以分為寬度 W {\displaystyle W} 和板材厚度 t {\displaystyle t} 。

結合電阻率和厚度

薄膜電阻是均勻板厚的電阻率的特例。 通常，電阻率（也稱為體電阻率、比電阻率或體積電阻率）的單位為Ω·m，更完整的表示單位為Ω·m2/m（Ω·面積/長度）。 除以板厚（m），單位為Ω·m·（m/m）/m=Ω。 術語 (m/m) 抵消了，但代表一種特殊的方形情況，產生以歐姆為單位的答案。 另一種常用單位是歐姆平方（表示為 Ω ? {\displaystyle \Omega \Box } ）或每平方歐姆（表示為 Ω/sq 或 Ω / ? {\displaystyle \Omega /\Box } ） ，其尺寸等于歐姆，但專門用于薄層電阻。 這是一個優勢，因為 1 Ω 的薄層電阻可能會脫離上下文并被誤解為 1 歐姆的體電阻，而 1 Ω/sq 的薄層電阻不會因此被誤解。

每平方歐姆名稱的原因是，無論正方形的大小如何，方塊電阻為 10 歐姆/平方的正方形薄片的實際電阻為 10 歐姆。 （對于正方形，L = W {\displaystyle L=W} ，所以 R s = R {\displaystyle R_{\text{s}}=R} 。）單位可以粗略地認為是， ohms ·縱橫比。 示例：由薄層電阻為 21 Ω/sq 的材料制成的 3 單位長乘 1 單位寬（縱橫比 = 3）的薄片測量值為 63 Ω（因為它由三個 1 單位乘 1 單位的正方形組成 )，如果 1 個單位的邊緣連接到一個歐姆表，使每個邊緣完全接觸。

對于通過擴散或表面尖峰離子注入摻雜的半導體

在具有多數載流子特性的材料中，它可以近似為（忽略本征載流子）：

其中 x j {\displaystyle x_{\text{j}}} 是結深度，μ {\displaystyle \mu } 是多數載流子遷移率，q {\displaystyle q} 是載流子電荷，和 N ( x ) {\displaystyle N(x)} 是以深度表示的凈雜質濃度。 知道背景載流子濃度 N B {\displaystyle N_{\text{B}}} 和表面雜質濃度，薄層電阻-結深度乘積? 可以使用 Irvin 曲線找到，它是上述方程的數值解。

使用四點探針來避免接觸電阻。