光致抗蝕劑（也簡稱為抗蝕劑）是一種光敏材料，用于多種工藝，例如光刻和光刻，以在表面上形成圖案涂層。 這個過程在電子工業中至關重要。

該過程首先在基板上涂上光敏有機材料。 然后將圖案化的掩模應用于表面以阻擋光線，因此只有材料的未掩模區域才會暴露在光線下。 然后將一種稱為顯影劑的溶劑應用于表面。在正性光刻膠的情況下，光敏材料會因光而退化，顯影劑會溶解掉曝光的區域，留下一層涂層 放置掩模。在負性光刻膠的情況下，感光材料被光強化（聚合或交聯），顯影劑將僅溶解掉未曝光的區域，留下涂層 未放置面罩的區域。

BARC 涂層（底部抗反射涂層）可以在涂敷光致抗蝕劑之前涂敷，以避免在光致抗蝕劑下發生反射并提高光致抗蝕劑在較小的半導體節點處的性能。

傳統的光刻膠通常由 3 種成分組成：樹脂（一種提供粘附力、耐化學性等物理特性的粘合劑）、敏化劑（具有光活性化合物）和溶劑（使抗蝕劑保持液態）。

正面：光會削弱抗蝕劑，并形成一個洞

負面：光會使抗蝕劑變硬并形成抗蝕刻掩模。

為了以圖形形式解釋這一點，您可能有一個關于對數曝光能量與剩余抗蝕劑厚度分數的關系圖。 正抗蝕劑將在最終曝光能量下完全去除，而負抗蝕劑將在曝光能量結束時完全硬化和不溶解。 該圖的斜率是對比度。 強度 (I) 通過 E = I*t 與能量相關。

正性光刻膠是一種光刻膠，其中曝光的光刻膠部分變得可溶于光刻膠顯影劑。 光刻膠的未曝光部分仍然不溶于光刻膠顯影劑。

正性光刻膠的一些例子是

PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）單組份

• 抗深紫外電子束、X 射線
• 樹脂本身對 DUV 敏感（慢）
• 斷鏈機制

DQN 抗拒的兩個組成部分：

• 水銀燈常用抗蝕劑
• 重氮醌酯 (DQ) 20-50% 重量
  • 感光
  • 疏水性，不溶于水
• 酚醛清漆樹脂 (N)
  • 常用于近紫外線照射
  • 水溶性
  • 紫外線照射破壞了DQ的抑制作用
• 問題：附著力、抗蝕刻性

負性光刻膠是一種光刻膠，其中曝光的光刻膠部分變得不溶于光刻膠顯影劑。 未曝光部分的光刻膠被光刻膠顯影劑溶解。

• 基于環化聚異戊二烯（橡膠）
  • 各種敏化劑（僅占重量的百分之幾）
  • 自由基引發的聚合物光交聯

下表基于微機電系統 (MEMS) 制造行業普遍接受的概括。

根據光刻膠的化學結構，可分為光聚合型、光分解型、光交聯型光刻膠三類。

光聚合光刻膠是光刻膠的一種，通常為烯丙基單體，受光時可產生自由基，引發單體光聚合生成聚合物。 光聚合光刻膠通常用于負性光刻膠，例如 甲基丙烯酸甲酯。

光分解光刻膠是一種在光照下產生親水性產物的光刻膠。 光分解光刻膠通常用于正性光刻膠。 一個典型的例子是疊氮醌，例如 重氮萘醌 (DQ)。