硅化鎢（WSi2）是一種無機化合物，是鎢的硅化物。 它是一種導電陶瓷材料。

硅化鎢能與強酸、氟、氧化劑、鹵間化合物等物質發生劇烈反應。

在微電子學中用作接觸材料，電阻率為60–80 μΩ cm； 它在 1000 °C 時形成。 它通常用作多晶硅線上的分流器，以增加它們的導電性和信號速度。 硅化鎢層可以通過化學氣相沉積制備，例如 使用甲硅烷或二氯硅烷與六氟化鎢作為源氣。 沉積的薄膜是非化學計量的，需要退火才能轉化為更具導電性的化學計量形式。 硅化鎢是早期鎢薄膜的替代品。 硅化鎢也用作硅和其他金屬（例如金屬）之間的阻擋層。

硅化鎢在微機電系統中也很有價值，它主要用作制造微型電路的薄膜。 為了這樣的目的，硅化鎢薄膜可以使用例如等離子蝕刻。

WSi2 在作為抗氧化涂層的應用中表現良好。 特別是，與二硅化鉬 MoSi2 相似，二硅化鎢的高發射率使這種材料對高溫輻射冷卻具有吸引力，對隔熱板具有重要意義。