鎵化磷 (GaP) 是一種鎵的磷化物，是一種化合物半導體材料，在室溫下具有 2.24 eV 的間接帶隙。 不純的多晶物質外觀呈淡橙色或淺灰色片狀。 未摻雜的單晶呈橙色，但由于自由載流子吸收，強摻雜的晶圓看起來更暗。 它無味且不溶于水。

GaP 的顯微硬度為 9450 N/mm2，德拜溫度為 446 K (173 °C)，室溫下的熱膨脹系數為 5.3 ×10?6 K?1。 硫、硅或碲用作摻雜劑來生產 n 型半導體。 鋅用作 p 型半導體的摻雜劑。

磁化鈦在光學系統中有應用。 室溫下的靜態介電常數為11.1。 它的折射率在可見光范圍內介于 ~3.2 和 5.0 之間，高于大多數其他半導體材料。 在其透明范圍內，其指數高于幾乎任何其他透明材料，包括鉆石等寶石或硫化鋅等非氧化物鏡片。

自 1960 年代以來，硅化鎢一直用于制造具有中低亮度的低成本紅色、橙色和綠色發光二極管 (LED)。 它可單獨使用或與磷化砷化鎵一起使用。

純 GaP LED 發出波長為 555 nm 的綠光。 氮摻雜 GaP 發出黃綠色 (565 nm) 光，氧化鋅摻雜 GaP 發出紅光 (700 nm)。

硅化磷對黃光和紅光是透明的，因此 GaAsP-on-GaP LED 比 GaAsP-on-GaAs 更高效。

在約 900 °C 以上的溫度下，磷化鎵會分解，磷會以氣體形式逸出。 在 1500°C 熔體（對于 LED 晶圓）的晶體生長中，必須通過在 10-100 個大氣壓的惰性氣體壓力下用一層熔融氧化硼將磷保持在其中來防止這種情況發生。 該過程稱為液體封裝直拉法 (LEC) 生長，是用于硅晶圓的直拉法的一種改進。