二硫化鉬（或鉬）是由鉬和硫組成的無機化合物。 其化學式為MoS_2.

該化合物被歸類為過渡金屬二硫化物。 它是一種銀黑色固體，以輝鉬礦（鉬的主要礦石）形式出現。 MoS_{2 相對不活躍。 它不受稀酸和氧氣的影響。 在外觀和手感上，二硫化鉬與石墨相似。 由于其低摩擦和堅固性，它被廣泛用作干式潤滑劑。 塊狀 MoS2 是一種類似于硅的抗磁性間接帶隙半導體，帶隙為 1.23 eV。 單層片作為完美的鏡子，反射 xxx 的入射光子。}

MoS2 以輝鉬礦（一種結晶礦物）或黃鐵礦（一種罕見的低溫形式的輝鉬礦）的形式自然存在。 輝鉬礦經浮選處理得到相對純的 MoS_{2。 主要污染物是碳。 MoS22 也是通過用硫化氫或元素硫對幾乎所有鉬化合物進行熱處理而產生的，并且可以通過復分解反應產生 來自五氯化鉬。}

所有形式的 MoS_{2 都具有層狀結構，其中鉬原子平面夾在硫化物離子平面之間。 這三層形成單層 MoS2。 大塊 MoS2 由堆疊的單層組成，它們通過弱范德華相互作用結合在一起。}

晶體 MoS2 是自然界中發現的xxx TMD。 它以 2H-MoS2 和 3R-MoS2 兩相之一存在，其中 H 和 R 分別表示六方和菱面體對稱性。 在這兩種結構中，每個鉬原子都存在于三棱柱配位球的中心，并與六個硫化物離子共價鍵合。 每個硫原子具有金字塔配位并與三個鉬原子鍵合。 2H 相和 3R 相都是半導體相。

第三種稱為 1T-MoS2 的亞穩態晶相是通過在 2H-MoS2 中插入堿金屬而發現的。 該相具有四方對稱性并且是金屬的。 1T 相可以通過摻雜錸等電子供體來穩定，或者通過微波輻射轉換回 2H 相。 2H/1T 相變可以通過引入 S 空位來控制。

由 MoS_{2 組成的類納米管和類巴基球分子是已知的。}

雖然已知 2H 相中的塊狀 MoS2 是間接帶隙半導體，但單層 MoS2 具有直接帶隙。 MoS2 的層依賴性光電特性促進了對基于二維 MoS2 的器件的大量研究。 2D MoS2 可以通過剝離大塊晶體來生產單層或幾層薄片，通過干燥的微機械工藝或通過溶液處理。

微機械剝離，在實用上也稱為透明膠帶剝離，涉及使用粘合劑材料通過克服范德華力反復剝離層狀晶體。 然后可以將晶體薄片從粘合劑膜轉移到基材上。 Konstantin Novoselov 和 Andre Geim 首先使用這種簡便的方法從石墨晶體中獲取石墨烯。 然而，它不能用于均勻的一維層，因為 MoS2 對基板（Si、玻璃或石英）的附著力較弱。 上述方案僅適用于石墨烯。 雖然透明膠帶通常用作膠帶，但如果重要的是避免殘留粘合劑污染薄片，PDMS 郵票也可以令人滿意地切割 MoS2。

液相剝離也可用于在溶液中生產單層至多層 MoS2。

一些方法包括鋰嵌入以分層和在高表面張力溶劑中超聲處理。

由于其層狀結構和低摩擦系數，MoS2 非常適合用作潤滑材料。 當向材料施加剪切應力時，層間滑動會耗散能量。 已經進行了大量工作來表征 MoS2 在各種氣氛中的摩擦系數和剪切強度。 MoS2 的剪切強度隨著摩擦系數的增加而增加。 這種特性稱為超潤滑性。