二次電子是作為電離產物產生的電子。 它們被稱為“二次”，因為它們是由其他輻射（初級輻射）產生的。 這種輻射可以是具有足夠高能量（即超過電離勢）的離子、電子或光子形式。 光電子可以被認為是二次電子的一個例子，其中初級輻射是光子； 在一些討論中，具有更高能量（>50 eV）的光電子仍然被認為是初級的，而光電子釋放的電子是次級的。

二次電子也是在掃描電子顯微鏡（SEM）中觀察圖像的主要手段。 二次電子的范圍取決于能量。

將非彈性平均自由程繪制為能量的函數通常顯示電子光譜學家和表面分析員熟悉的通用曲線的特征。 這個距離在金屬中大約是幾納米，在絕緣體中大約是幾十納米。 這個小距離允許在 SEM 中實現如此精細的分辨率。

對于 SiO2，對于 100 eV 的初級電子能量，二次電子范圍距離入射點高達 20 nm。