簡并半導體是一種摻雜程度如此之高的半導體，以至于該材料開始表現得更像金屬而不是半導體。 與非退化半導體不同，這類半導體不遵守質量作用定律，該定律將本征載流子濃度與溫度和帶隙聯系起來。

在中等摻雜水平下，摻雜劑原子會產生單獨的摻雜水平，這些摻雜水平通常可以被視為局部狀態，可以通過熱促進（或光學躍遷）分別向導帶或價帶提供電子或空穴。 在足夠高的雜質濃度下，單個雜質原子可能變得足夠近，以至于它們的摻雜水平合并到雜質帶中，并且這種系統的行為不再顯示半導體的典型特征，例如 它的電導率隨溫度升高。 另一方面，退化半導體的電荷載流子仍然比真正的金屬少得多，因此它的行為在許多方面介于半導體和金屬之間。

許多銅硫族化物是簡并的 p 型半導體，在其價帶中具有相對大量的空穴。

一個例子是具有 Mg 摻雜的系統 LaCuOS1-xSex。 它是一種寬禁帶p型簡并半導體。 空穴濃度不隨溫度變化，這是退化半導體的典型特征。

另一個眾所周知的例子是氧化銦錫。 因為它的等離子體頻率在紅外線范圍內，所以它是一種相當好的金屬導體，但在可見光譜范圍內是透明的。