自旋轉移矩

自旋轉移石 (STT) 是一種效應，其中磁性隧道結或自旋閥中磁性層的方向可以使用自旋極化電流進行修改。

電荷載流子（例如電子）具有稱為自旋的特性，它是載流子固有的少量角動量。 電流通常是非極化的（由 50% 自旋向上和 50% 自旋向下的電子組成）； 自旋極化電流是一種具有更多自旋電子的電流。 通過使電流通過厚磁層（通常稱為“固定層”），可以產生自旋極化電流。 如果這個自旋極化電流被引導到第二個更薄的磁性層（“自由層”），角動量可以轉移到這個層，改變它的方向。 這可用于激發振蕩甚至翻轉磁鐵的方向。 這些效果通常只在納米級設備中可見。

自旋轉移軸可用于翻轉磁隨機存取存儲器中的有源元素。 自旋轉移磁磁隨機存取存儲器（STT-RAM 或 STT-MRAM）是一種非易失性存儲器，具有接近零的泄漏功耗，這是優于 SRAM 和 DRAM 等基于電荷的存儲器的主要優勢。 與使用磁場翻轉有源元件的傳統磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 相比，STT-RAM 還具有功耗更低和可擴展性更好的優勢。 自旋轉移技術有可能使 MRAM 設備結合低電流要求和降低成本； 然而，目前對于大多數商業應用來說，重新定向磁化所需的電流量過高，僅降低電流密度是目前自旋電子學學術研究的基礎。

Hynix Semiconductor 和 GrANDis 于 2008 年 4 月建立合作伙伴關系，以探索 STT-RAM 技術的商業開發。

日立和東北大學于 2009 年 6 月展示了 32 兆位 STT-RAM。

2011 年 8 月 1 日，Grandis 宣布已被三星電子收購，收購金額不詳。

2011 年，Qualcomm 在 VLSI 電路研討會上展示了采用 TSMC 的 45 nm LP 技術制造的 1 Mbit 嵌入式 STT-MRAM。

2011年5月，俄羅斯納米技術公司宣布向Crocus Nano Electronics（與Crocus Technology的合資企業）投資3億美元，在俄羅斯莫斯科建設MRAM工廠。

2012 年，EverSPin Technologies 發布了第一款商用 DDR3 雙列直插式內存模塊 ST-MRAM，容量為 64 Mb。

2019 年 6 月，Everspin Technologies 開始試生產 28 納米 1 Gb STT-MRAM 芯片。

2019 年 12 月，英特爾展示了用于 L4 緩存的 STT-MRAM

其他致力于 STT-RAM 的公司包括 Avalanche Technology、Crocus Technology 和 Spin Transfer Technologies。