銦化鍺，又稱磷化鎵銦，是由銦、鎵和磷組成的半導體。 由于相對于更常見的半導體硅和砷化鎵具有更高的電子速度，它被用于高功率和高頻電子產品。

它主要用于HEMT和HBT結構，也用于制造用于太空應用的高效太陽能電池，并與鋁結合制成具有橙紅色、橙色、黃色和綠色的高亮度LED 顏色。 一些半導體器件，使用 InGaP 作為其核心粒子。

飷化銦鎵是磷化銦和磷化鎵的固溶體。

Ga0.5In0.5P是一種特別重要的固溶體，幾乎與GaAs晶格匹配。 這允許與 (AlxGa1-x)0.5In0.5 結合，生長用于紅色發射半導體激光器的晶格匹配量子阱，例如 用于 PMMA 塑料光纖的紅色發射。

Ga0.5In0.5P 用作在 GaAs 上生長的雙結和三結光伏電池的高能結。 近年來，AM0（空間陽光入射=1.35 kW/m2）效率超過 25% 的 GaInP/GaAs 串聯太陽能電池顯示。

通過外延生長 GaInP 可能會變得復雜，因為 GaInP 傾向于作為有序材料而不是真正隨機的固溶體（即混合物）生長。 這會改變材料的帶隙以及電子和光學特性。