肖特基缺陷

肖特基缺陷是晶格中位點占據的激發，導致以沃爾特·H·肖特基命名的點缺陷。 在離子晶體中，當帶相反電荷的離子離開它們的晶格位置并結合到例如表面，產生帶相反電荷的空位時，就會形成這種缺陷。 這些空位以化學計量單位形成，以保持離子固體中的整體中性電荷。

肖特基缺陷由化學計量比的未占據的陰離子和陽離子位點組成。 對于 A?B+ 型的簡單離子晶體，肖特基缺陷由單個陰離子空位 (A) 和單個陽離子空位 (B) 組成，或 v?_{A + v ′ B 遵循 Kr?ger–Vink 符號。 對于具有分子式 AxBy 的更一般的晶體，肖特基簇由 A 的 x 個空位和 B 的 y 個空位形成，因此整體化學計量和電荷中性是守恒的。 從概念上講，如果晶體膨脹一個晶胞，就會產生肖特基缺陷，其先前的空位被擴散到內部的原子填充，從而在晶體中產生空位。}

當構成材料的陽離子和陰離子之間的尺寸差異很小時，最常觀察到肖特基缺陷。

構成肖特基缺陷的空位具有相反的電荷，因此它們經歷相互吸引的庫侖力。 在低溫下，它們可能形成束縛簇。

結合的簇通常不如稀釋的對應物移動，因為多個物種需要以一致的運動移動以使整個簇遷移。 這對廣泛應用的眾多功能陶瓷具有重要意義，包括離子導體、固體氧化物燃料電池和核燃料。

這種類型的缺陷通常在高離子化合物、高配位化合物中觀察到，并且構成化合物晶格的陽離子和陰離子的大小差異很小。

觀察到肖特基紊亂的典型鹽是 NaCl、KCl、KBr、CsCl 和 AgBr。 對于工程應用，肖特基缺陷在具有螢石結構的氧化物中很重要。

通常，空位的形成體積是正的：由于缺陷周圍的應變引起的晶格收縮不能彌補由于額外數量的位點引起的晶體膨脹。 因此，固體晶體的密度小于材料的理論密度。