蝕刻用于微加工，以在制造過程中從晶片表面化學去除層。 蝕刻是一個極其重要的工藝模塊，每個晶圓在完成之前都經過許多蝕刻步驟。

對于許多蝕刻步驟，部分晶片通過抗蝕刻的掩蔽材料保護免受蝕刻劑影響。 在一些情況下，掩蔽材料是已經使用光刻法圖案化的光致抗蝕劑。 其他情況需要更耐用的掩模，例如氮化硅。

• 溶于水的 KOH 顆粒（自熱）
• 蝕刻速率{110} > {100} >> {111}
  • KOH 對 {111} 平面的蝕刻方向較慢
  • 您不能將這種 KOH 光刻膠用作蝕刻掩模，因為氧化物的侵蝕速度太慢，因此這種抗蝕劑將無法存活
• 光刻膠可以用作蝕刻掩模，xxx的蝕刻光刻膠是氮化物
• 例如，KOH 中 Si 的蝕刻速率取決于晶面
• 在低溫下你有高選擇性（蝕刻速率較慢），在高溫下你的選擇性會下降（較高蝕刻速率）

通過升高溫度，蝕刻速率增加，但選擇性降低。 蝕刻速率和蝕刻選擇性之間存在折衷。

如果蝕刻旨在在材料中形成空腔，則可以使用蝕刻時間和已知的蝕刻速率大致控制空腔的深度。 但更常見的是，蝕刻必須完全去除多層結構的頂層，而不會損壞底層或掩模層。 蝕刻系統執行此操作的能力取決于兩種材料的蝕刻速率比率（選擇性）。

一些蝕刻會削弱掩模層并形成具有傾斜側壁的空腔。 底切的距離稱為偏差。 具有大偏差的蝕刻劑稱為各向同性，因為它們在所有方向上均等地侵蝕基板。 現代工藝非常喜歡各向異性蝕刻，因為它們會產生清晰、控制良好的特征。

蝕刻劑的兩種基本類型是液相（濕）和等離子相（干）。 這些中的每一個都存在于幾個變體中。

最初的蝕刻工藝使用液相（濕）蝕刻劑。 該工藝現在已基本過時，但直到 1980 年代后期才被干式等離子蝕刻取代。： 147 可以將晶圓浸入蝕刻劑浴中，必須攪動蝕刻劑以實現良好的工藝控制。 例如，緩沖氫氟酸 (BHF) 通常用于在硅襯底上蝕刻二氧化硅。

可以使用不同的專用蝕刻劑來表征蝕刻的表面。

濕蝕刻劑通常是各向同性的，這會導致蝕刻厚膜時產生較大的偏差。 它們還需要處理大量有毒廢物。 由于這些原因，它們很少用于最先進的工藝中。 然而，用于光刻膠的照相顯影劑類似于濕蝕刻。

作為浸入的替代方法，單晶圓機使用伯努利原理，使用氣體（通常為純氮氣）緩沖和保護晶圓的一側，同時將蝕刻劑應用于另一側。 它可以在正面或背面完成。 在機器中時，蝕刻化學物質分配在頂面，而底面不受影響。 這種蝕刻方法在后端處理 (BEOL) 之前特別有效，后端處理后的晶圓通常在晶圓背面研磨后非常薄，并且對熱應力或機械應力非常敏感。 蝕刻甚至幾微米的薄層將去除背磨過程中產生的微裂紋，從而使晶圓具有顯著增加的強度和柔韌性而不會破裂。

一些濕蝕刻劑以非常不同的速率蝕刻晶體材料，這取決于暴露的晶面。 在單晶材料（例如硅晶片）中，這種效應可以允許非常高的各向異性，術語晶體蝕刻與沿晶面的各向異性蝕刻同義。

然而，對于一些非晶體材料，如玻璃，有非常規的方法可以以各向異性的方式進行蝕刻。 作者采用包含蝕刻非蝕刻溶液的多流層流來制造玻璃槽。 中心的蝕刻溶液兩側是非蝕刻溶液，接觸蝕刻溶液的區域受周圍非蝕刻溶液的限制。 因此，蝕刻的方向主要垂直于玻璃表面。 掃描電子顯微鏡 (SEM) 圖像證明了縱橫比（寬度/高度 = 0.5）的傳統理論極限的突破，并貢獻了兩倍的改進（寬度/高度 = 1）。