在集成電路制造中，光刻或光學光刻是一個通用術語，指的是使用光在基板（例如硅晶片）上生成適當材料的精細圖案薄膜的技術，以在隨后的蝕刻、沉積、 或植入手術。 通常，紫外線用于將幾何設計從光學掩模轉移到涂在基板上的光敏化學品（光致抗蝕劑）上。 光致抗蝕劑在暴露于光的地方會分解或硬化。 然后通過用適當的溶劑去除涂層的較軟部分來創建圖案化的薄膜。

傳統的光刻膠通常由三部分組成：樹脂、敏化劑和溶劑。

光刻工藝可以根據所用光的類型進行分類，例如紫外線、深紫外線、極紫外線或 X 射線。 所用光的波長決定了可在光刻膠中形成的最小特征尺寸。

光刻是微光刻的一個子類，是生成圖案化薄膜的工藝的總稱。 這一更廣泛類別中的其他技術包括使用可控電子束，或更罕見的納米壓印、干涉、磁場或掃描探針。 在更廣泛的層面上，它可能與微米和納米結構的定向自組裝競爭。

光刻與攝影共享一些基本原理，因為光刻膠中的圖案是通過將其暴露在光線下產生的——要么直接通過鏡頭投影，要么通過照亮直接放置在基板上的掩模，如接觸印刷。 該技術也可以看作是用于制造印刷電路板的方法的高精度版本。 這個名字起源于與傳統照相方法的松散類比，即在紙上制作用于平版印刷的印版； 然而，與傳統光刻相比，該工藝的后續階段與蝕刻有更多共同點。

光刻是半導體制造集成電路（IC 或芯片）最常用的方法，例如固態存儲器和微處理器。 它可以創建極小的圖案，小至幾十納米。 它可以精確控制其創建的對象的形狀和大小，并且可以在一個步驟中快速且以相對較低的成本在整個晶圓上創建圖案。 在復雜的集成電路中，晶圓可能要經過多達 50 次的光刻周期。 它也是制造一般微觀結構（例如微機電系統）的重要技術。 但是，光刻不能用于在不完全平坦的表面上生產掩模； 而且，與所有芯片制造工藝一樣，它需要極其清潔的操作條件。

顧名思義，光刻是一種印刷方法（最初基于使用石灰石印刷版），光在其中起著至關重要的作用。 金屬、玻璃或石頭上的一層薄薄的瀝青在暴露于光線下變得不易溶解； 然后可以用合適的溶劑沖洗掉未曝光的部分，露出下面的材料，然后在酸浴中進行化學蝕刻以制作印刷版。 瀝青的光敏性非常差，需要很長時間的曝光，但盡管后來引入了更敏感的替代品，但其低成本和極好的耐強酸性將其商業壽命延長至 20 世紀初。