砷化銦
編輯砷化銦是銦和砷的化合物。 它是一種半導體，屬于III-V族半導體之一。砷化銦是一種由銦和砷構成的Ⅲ一V族化合物半導體材料，化學式為InAs。它是灰色的立方晶體，熔點為942°C。
砷化銦與鎵砷化物具有相似的性質，是一種直接帶隙材料，在室溫下的帶隙為0.35 eV。砷化銦被廣泛用于制造紅外探測器，其波長范圍為1-3.8 μm，通常采用光伏光電二極管制造。砷化銦也用于制造二極激光器。此外，砷化銦因其高電子遷移率和窄能隙而被廣泛用作太赫茲輻射源。
摩爾質量：189.74 g mol
密度：5.68 克厘米
熔點：936℃
幾乎不溶于水
屬性
編輯砷化銦在閃鋅礦結構中結晶：砷化物形成立方最密堆積，銦占據四面體空隙的一半。 半導體的帶隙為 0.35 eV。
它是灰色的立方晶體，熔點為942°C。砷化銦與鎵砷化物具有相似的性質，
是一種直接帶隙材料，在室溫下的帶隙為0.35 eV。砷化銦被廣泛用于制造紅外探測器，其波長范圍為1-3.8 μm，通常采用光伏光電二極管制造。
使用
編輯與其他 III-V 族半導體一樣，砷化銦在半導體行業得到應用。它用于紅外輻射探測器中的光電二極管。 另一個應用領域是激光二極管。
安全信息
編輯砷化銦含有砷，具有毒性和致癌性。
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