銻化銦

摩爾質量236.6 g mol物態

密度

5.75 克厘米

熔點

535 °C（分解）

溶解度

幾乎不溶于水

銻化銦 (InSb) 是銦 (In) 和銻 (Sb) 的化合物。 它是III-V族半導體之一。

在室溫下，未摻雜銻化銦在所有已知半導體中具有xxx的電子遷移率 78,000 cm2/(V s)，這也導致了極高的（與其他材料相比）霍爾常數 -2.4 10 m/ C 解釋。 它特別適用于生產速度非常快的電子開關。

此外，銻化銦在光電子學中用作紅外傳感器的材料，尤其是在1000 nm至5500 nm的波長范圍內。

銻化銦半導體器件的擴散電壓低于 0.5 V，與 0.7 V 的硅相比，這允許更低的工作電壓，從而降低功率損耗。

銻化銦在兩種高純度元素熔化在一起時形成：

I n + S b ? I n S b

銻化鋁銦之間的一層銻化銦可以作為量子阱。 這可用于構建非常快速的開關晶體管。 雙極晶體管的工作頻率最高可達 85 GHz，而場效應晶體管的工作頻率最高可達 200 GHz。