光敏電阻

光敏電阻，是一種光敏電阻。 照射在光敏電阻上的光線越多，它的電阻就越小。 與光電二極管等其他光敏電子元件相比，光敏電阻的反應速度非常慢。

通過燒結粉末將一薄層光敏半導體材料施加到陶瓷基體上。 電氣連接由兩個相互面對的隨后應用的梳狀金屬表面組成。 結果，感光層的結構具有光電流橫向流過的曲折形式。

整個組件配有連接線，并涂有或灌封有透明合成樹脂。 帶有玻璃窗和玻璃套管的密封金屬外殼也很常見。

光敏電阻通常由硫化鎘 (CdS) 或硒化鎘 (CdSe) 層組成，其顏色敏感度曲線與人眼或照相膠片大致相同。

硫化鎘在 520 nm 波長處具有最大靈敏度，硒化鎘在 730 nm 波長處具有最大靈敏度。

對于紅外線，使用硫化鉛（波長 0.3 至 3.5 μm 的光譜靈敏度）和銻化銦（波長 4.5 至 6.5 μm）等材料。

對于適用于 LDR 的半導體，所使用的不是內部光電效應，而是缺陷過渡。 如果雜質被光電離，它會像摻雜劑一樣持續幾毫秒并增加電導率。 由于再次抵消干擾點需要相對較長的時間，因此獲得了高靈敏度，但反應也較慢。 由于雜質的參與，光電導不僅取決于基材，還取決于微觀結構和雜質。 所使用的半導體不必是非晶態的。

即使在長時間變暗后仍然存在的一些自由電荷載流子會導致暗電流。 這可以通過降低溫度來減少。

光敏電阻的特征在于以下參數：

• 暗電阻（光敏電阻在黑暗中的電阻值），一般為1MΩ至100MΩ； 只有在黑暗幾秒鐘后才能到達
• 耐光性（1000 lx 時光敏電阻的電阻值），通常為 100 Ω 至 2 kΩ
• 響應時間（天黑后開啟 1000 lux 照度直至電流達到其規定值的 65% 所經過的時間），典型值 1 至 3 ms
• 光譜范圍（材料相關光譜靈敏度曲線）
• 缺點：溫度敏感

例如，CdS 和 CdSe 光敏電阻被用于曝光計和暮光開關，以便能夠以很少的技術努力測量甚至低水平的照度 - 光譜靈敏度與眼睛的光靈敏度曲線非常吻合。 當不需要快速響應時間時使用它。 例如，曲線特性允許使用分壓器上的電壓確定超過 4 個數量級的照度。

由于 LDR 運行緩慢，并且在第一近似值下表現得像線性歐姆電阻器，因此帶有光敏電阻的光耦合器已用于音頻壓縮器和壓控濾波器（例如移相器）。