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可編程只讀存儲器
編輯現在不再使用原來的 PROM。 PROM 已被 EPROM 取代，雖然有 OTP（一次性可編程）ROM 模塊具有與 PROM 類似的功能并使用 EPROM 技術，但出于成本原因，它們沒有 UV 擦除窗口，因此僅與 PROM 一樣獨特可寫且不再可擦除，或者只能通過 X 射線擦除。
PROM和mask ROM的區別是后者在生產時已經接收到它的內存內容，不能再更改，而PROM是可以編程（一次）的，以后輸出0信號是通過金屬汽化來編程的通過有針對性地施加更高的電壓（編程電壓），在網格狀線的交叉點處進行連接。
除了一次性可編程性之外，這項技術的一個問題是在元件外殼中編程期間會釋放金屬蒸氣，這會導致以后無法更改或難以更改。
金屬蒸氣的沉淀會導致錯誤。 即使存儲器內容在編程過程后立即正確，如果金屬粒子以導電方式重新連接先前編程的交叉點，電遷移等物理效應也會在以后導致錯誤。
從技術上講，可以將 PROM 視為可編程邏輯陣列 (PLA)，其中只有 OR 陣列是可編程的。 地址譯碼器表示預設的與矩陣。
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