共源共柵放大器

共源共柵放大器電路（不要與級聯電路混淆）是至少有兩個電子管或晶體管串聯的電子放大電路。 主要優點是可以忽略不計的米勒效應，它允許更高的帶寬，但也有高輸入和輸出電阻。

在電子管實現的歷史形式中，它由兩個三極管組成，其中xxx級 - 一個正常的陰極基極電路 - 電耦合到第二級，一個柵極基極電路。 因此，該電路結合了兩個優點：高輸入電阻和可忽略的反饋，因為第二個管的控制柵充當屏蔽。 由于使用三極管，噪音比五極管低得多，這就是為什么這種形式被用作xxx臺電視接收器（仍然配備電子管）的輸入級的原因。

共源共柵放大器電路也可以用晶體管形成，如相鄰的雙極晶體管電路草圖所示。 這里輸入晶體管 T1 在共發射極工作，輸出晶體管 T2 在電流控制下在共基極工作。

第二級，即共基極電路中的晶體管T2，在發射極連接處具有較低的輸入電阻，這導致xxx級的負電壓放大率較低，并xxx降低了米勒效應。 輸出對輸入的影響xxx降低，尤其是在高頻范圍內，示波器中 RC 放大器的可用帶寬顯著增加。 xxx輸出電阻增加，而直流輸入電阻幾乎與共發射極相同。

下方的放大器元件只需具有低阻斷電壓，而上方的放大器元件可具有高阻斷電壓和低電流增益。 在快速切換高壓時，這符合許多放大器元件的規格。 當為 T1 選擇功率 MOSFET 時，可實現最佳特性。

晶體管（下方）和電子管（上方）的組合也是可能的，晶體管可實現約 -100 的電壓增益。 這使得切換高達幾 10 kV 的高壓成為可能，而無需產生管的高控制電壓（幾 10 V）。

雙柵極MOSFET是兩個場效應晶體管的集成串聯電路； 它們的反響如此之低，以至于無需中和即可用于構建 VHF 放大器。 在超外差式接收器的混頻級中，振蕩器電壓被饋送到上柵極 2，使 MOSFET 具有與六極管相似的特性，但噪聲要小得多。