DDR SDRAM

DDR SDRAM，是一種基于半導體的RAM類型，由SDRAM進一步發展而來。 目前（2021年）有五代，第5代（DDR5）于2019年指定并于2021年上市。這些主要用于DIMM和SO-DIMM標準的內存模塊以及PC中的主內存和筆記本電腦。 移動設備（低功耗 SDRAM）和圖形內存都有單獨的規范。

• ↑ 1.35 V 標有 L 表示低，1.25 V 標有 U 表示超低
• ↑ Non-ECC RAM 也有奇偶校驗位，內存用于獨立于 CPU 的內部內存校正
• ↑ 每 64 位內存行的奇偶校驗位從 8 位增加到 16 位，可對兩位錯誤進行糾錯

DDR SDRAM 本身不允許更高的數據速率，因為 SDR 和 DDR 中的實際數據傳輸發生在相同的時序和相同的問題上。 與 SDR 相比（也是xxx的顯著差異），DDR 過程解決了時鐘傳輸問題：使用 SDR，在最壞的情況下，時鐘信號的頻率是數據信號的兩倍。 時鐘信號每個時鐘有兩個電平變化，數據信號最多有一個電平變化。 DDR 傳輸不再是這種情況，為此，必須使用本地鎖相環 (PLL) 將 DDR RAM 模塊中的時鐘再次加倍。

有時時鐘的進一步劃分是常見的。 在某些情況下，用于命令和數據傳輸的不同時鐘也很常見。 這是例如 例如，GDDR-6 RAM 就是這種情況。 “18 GHz”GDDR-6 RAM 使用 4.5 GHz 時鐘信號，并在 18 GHz 下每條數據線傳輸 1 位。

雖然“普通”SDRAM 模塊提供 1.06 GB/s 的數據傳輸速率和 133 MHz 的時鐘，但具有 DDR SDRAM (133 MHz) 的模塊的數據傳輸速率幾乎是其兩倍。 這是通過一個相對簡單的技巧實現的：一個數據位在時鐘信號的上升沿和下降沿都被傳輸，而不是像以前那樣只在上升沿傳輸。

為了使雙倍數據速率方法實現加速，連續請求數據的數量（=“突發長度”）必須始終等于或大于總線寬度的兩倍。 由于情況并非總是如此，因此與具有相同時鐘的簡單 SDRAM 相比，DDR SDRAM 的速度并不完全快兩倍。 另一個原因是地址和控制信號，與數據信號不同，只在時鐘邊沿給出。

DDR-200 到 DDR-400 以及用它們構建的 PC-1600 到 PC-3200 內存模塊被 JEDEC 標準化為 JESD79。 所有偏離此的模塊都基于基于標準的名稱，但每個制造商都使用自己的電氣特性規范 - 這些模塊通常作為“超頻內存”提供 - 并且經常在過壓下工作。

服務器中經常使用的帶有 ECC（錯誤檢查和糾正）的內存模塊或帶有信號緩沖器的已注冊模塊帶來了安全性提升。 但是，這僅適用于明確支持這些內存模塊的情況，通常 ECC 模塊在普通臺式機主板上根本無法工作。

DDR2 SDRAM 是 DDR SDRAM 概念的進一步發展，其中使用四重預取而不是雙重預取。

桌面 com 模塊計算機有 240 個而不是 184 個觸點/引腳，并且在機械和電氣方面與xxx代 DDR 模塊不兼容。 不同的槽口可防止混淆。

內存芯片采用 FBGA（精細球柵陣列）技術封裝，比 TSOP（薄小外形封裝）外殼中的標準 DDR-RAM 更小（126 mm2 而不是之前的 261 mm2）。

對于 DDR2 SDRAM，I/O 緩沖器的時鐘頻率是內存芯片的兩倍。 與較舊的 DDR 標準一樣，有效數據在時鐘信號的上升沿和下降沿均獲得。 由于相應標準的預取方法，對于 DDR SDRAM（至少），兩個連續地址通過讀取命令讀取，對于 DDR2 SDRAM 則為四個。 從 64 位寬的 DDR 模塊，每次讀取訪問讀取 128 位，從 DDR2 模塊讀取 256 位。 但是，對于相同的 200 MHz I/O 時鐘，數據的xxx量保持不變，例如，因為 DDR2 模塊需要兩個時鐘而不是一個時鐘來傳輸數據。 DDR2 僅支持兩種可能的突發長度（單個命令可以讀取或寫入的數據字數），即 4（由于四重預取）或 8，而 DDR 支持 2、4 或 8。

為了降低電力消耗，DDR2 SDRAM 的信號和電源電壓被降低到 1.8 V（DDR SDRAM 為 2.5 V）。 除其他外，由于電壓降低和由此產生的熱量減少，更高的時鐘速率是可能的。

DDR2-SDRAM 芯片與“片上終端”(ODT) 一起工作。 內存總線不再需要在模塊板（或板）上端接。 終端功能已直接集成到芯片中，從而節省了空間和成本。 使用 ODT，內存控制器在總線上發出一個信號，使所有不活動的內存芯片切換到終止狀態。 這意味著數據線上只有活動信號，幾乎不可能發生干擾。

原則上，DDR2 模塊可用于任何帶 DDR2 插槽的主板，無論其各自的速度規格如何。 內存控制器確保比主板慢的內存模塊僅以它們設計的時鐘速度運行。

還可以根據需要組合具有不同時鐘速率的 DDR2 模塊。 然而，在大多數情況下，整個內存只能以最慢模塊的速度工作。

然而，由于 JEDEC 規范并不精確，某些主板和某些內存模塊之間可能存在兼容性問題。 這些問題通常可以通過更新 BIOS 來解決。 在任何情況下，只能假定主板的所謂 QVL（合格供應商列表）上的內存可以在該主板上工作。

2：與CPU或主板的內存控制器連接的速度3：與SDR-SDRAM相比的有效時鐘（理論上）PC2-XY00：XY00的計算方式為（4×內存時鐘×總線寬度）/8（總線width = 64 位）并對應于以 MB/s 為單位的數據速率。

DDR2-400 到 DDR2-1066 以及用它們構建的 PC2-3200 到 PC2-8500 內存模塊由 JEDEC 標準化。 所有偏離此的模塊都基于基于標準的名稱，但每個制造商都設置了自己的電氣特性規范 - 通常作為“超頻內存”提供的模塊 - 并且經常在過壓下工作。

DDR3-SDRAM 是 DDR2-SDRAM 概念的進一步發展，它使用八倍預取而不是四倍預取。

容量至少為 512 兆位的芯片以每秒 8500 兆字節的速度處理數據，因此比 DDR-400 或 DDR2-800 SDRAM 快得多。 但是，CAS 延遲更高。 DDR3 SDRAM 在 1.5 V 而不是 1.8 V 下運行，因此更適合移動應用，因為在移動應用中電池壽命很長。 低壓版本 (DDR3L) 可以在合適的主板上以 1.35 V 運行。 超低電壓 (DDR3U) 版本設計為在 1.25V 下運行。

DDR3 SDRAM 內存模塊 (DIMM) 有 240 個觸點/引腳。 盡管具有相同數量的引腳，但它們與 DDR2 SDRAM 不兼容并且具有不同的槽口。 用于筆記本電腦的 SODIMM 模塊有 204 個觸點，而 DDR2 變體和 DDR1 變體有 200 個觸點。