SDRAM

SDRAM是一種半導體存儲器變體，例如用作計算機中的主存儲器。

縮寫SDRAM也可以指裝有SDRAM芯片的DIMM或SO-DIMM印刷電路板。

SDRAM 是一種時鐘 DRAM 技術。 時鐘由系統總線指定，也可能由連接到系統總線的單獨內存總線指定。 使用用于地址輸入、控制信息和輸入/輸出數據的寄存器進行計時，因為寄存器中的值更改僅在時鐘沿發生。 使用時鐘進行同步消除了使用異步方法（例如使用握手方法）進行通信的需要。 此外，可以通過使用寄存器來使用緩沖和流水線技術，從而在時間上有顯著的整體增益。 SDRAM 的速度大約是其前身 EDO-DRAM 的兩倍。 xxx代 SDRAM 模塊在 1996 年至 2001 年左右用于 PC。 然后它被 DDR-SDRAM 取代，在 DDR-SDRAM 中，通過使用兩個時鐘邊沿，數據速率幾乎可以翻倍。

常見的RAM類型有：

• PC-66-SDRAM：Intel 定義的標準，其中 SDRAM 的理想運行速度為 66 MHz。 焊接的存儲芯片的訪問時間為 12 ns（很少）或 10 ns。
• PC-100 SDRAM：Intel 定義的標準，其中 SDRAM 的理想運行速度為 100 MHz，向后兼容 PC-66 主板（可以在 66 MHz 下運行）。 焊接的存儲芯片的訪問時間為 8 ns。
• PC-133-SD??RAM：隨著前端總線的時鐘頻率增加到133MHz，威盛推出了以相同速度運行的PC-133-SD??RAM，以充分利用時鐘增加的速度優勢. 向后兼容 PC-66/-100 主板（可以運行在 66MHz 或 100MHz）。 焊接的存儲芯片的訪問時間為 7.5 ns（芯片上很少標記為 -7.5，但通常有點刺激 -75）或 7.0 ns。
• PC-150/166-SDRAM：功能特別強大的 SDRAM，可以在指定的 MHz 范圍內運行，具體取決于制造商。

負責的 JEDEC 委員會已將 PC-66、PC-100 和 PC-133 指定為標準。 相比之下，PC-150 和 PC-166 模塊只是超頻的 PC-133 模塊，制造商已批準分別在 150 和 166 MHz 下運行。

SDRAM 模塊的存儲容量為 16 MiB、32 MiB、64 MiB、128 MiB、256 MiB、512 MiB 和 1024 MiB（很少）； 每個 DIMM 大多使用四個、八個或十六個芯片。 16 MiB 模塊實際上僅作為單面模塊被發現，32 MiB 和 1024 MiB 模塊實際上僅作為雙面模塊出現。 所有其他尺寸均可用作單面和雙面模塊。

還有一些模塊的 CAS 延遲為二分之一 (CL2) 和三分之一 (CL3)，后者的工作速度稍慢。 CL3 模塊通常還允許以較低的時鐘頻率與 CL2 一起運行。 合適的 PC-100-CL3 模塊可以與 CL2 一起運行，xxx時鐘頻率高達 66 MHz，相應的 PC-133-CL3 模塊與 CL2 一起運行，xxx時鐘頻率高達 100 MHz。 PC-133-CL2 模塊大多配備存取時間為 7.0 ns 的存儲芯片。

與內存容量較小的 SDRAM DIMM 相比，內存容量大的 SDRAM DIMM 具有大量存儲單元和當今常見的高時鐘速率，因此會在地址和控制線上造成更高的電容和電感負載。 因此，一些電路板設計人員在 SDRAM DIMM 模塊上放置了雙驅動器緩沖器，以增強線路上的信號并降低系統負載，與具有這些額外輸出緩沖器的其他相同內存模塊相比。 這個緩沖區 v但是，在電脈沖中引入了一個小的時間延遲，因此與具有輸出緩沖器的同一模塊相比，將此類緩沖器添加到沒有緩沖器的正常填充模塊會導致信號變慢。 這是一種技術，也主要用于服務器領域，以增加系統板（主板）上xxx可能的 RAM 大小。

SDRAM 內存芯片需要 3.3 V 的工作電壓。

較新的 PC133 模塊可能與支持 SDRAM 的早期內存控制器不兼容。 因此，盡管 DIMM 的總內存容量仍在芯片組或主板規格范圍內，但較新的 PC133 模塊無法在較舊的主板上正常工作。 一個典型的例子是帶有威盛 Apollo MVP3 芯片組的 Super Socket 7 主板上的 256 MiB PC 133 模塊。 雖然較舊的 DIMM（兩側均配備八個 128-Mibit 芯片）在此類主板上正常工作，但較新的 256-MiB 內存模塊（一側僅配備八個 256-Mibit 芯片）無法工作或僅被識別為128-MiB DIMM。 除了內存密度之外，所用 SDRAM 芯片的不利內部組織也會削弱與內存控制器的兼容性。 512-MiB 和 1024-MiB 模塊在帶有威盛 Apollo MVP3 芯片組的主板上根本無法工作。 原因之一可能是并行存儲單元過多導致容性負載過高，這會使驅動器不堪重負并導致軟時鐘邊沿。

如果在正時鐘沿和負時鐘沿都可以更改值，則稱為 DDR-SDRAM（雙倍數據速率 SDRAM）。 DDR-SDRAM代表了SDRAM技術的進一步發展，為了明確語言，xxx代SDRAM技術現在也稱為SDR-SDRAM（單數據速率SDRAM）。 雖然 SDR SDRAM DIMM 只有 168 個針腳，但 DDR SDRAM 模塊已經有 184 個針腳。