VRAM

VRAM是 DRAM，主要用于 1993 年和 1994 年，直至千禧年之交，作為圖形卡上的本地內存。 內存最重要的特征是兩個端口（雙端口RAM），一個用于隨機讀寫（隨機存取）的“普通”端口和一個用于順序讀取（視頻信號生成）的端口。

在千禧年之際，普通 RAM 變得足夠強大，以至于普通單端口 RAM（DDR 或 GDDR）足以用于顯卡。

在許多計算機雜志中，無論采用何種內存技術，顯卡的內存仍被稱為 VRAM。

從概念上講，VRAM 由兩部分組成：

• SAM（串行存取存儲器）SAM接口用于讀取RAMDAC的數據以生成視頻信號。 只能執行順序讀取訪問。 通過 SAM 接口訪問（例如 110 MB/s）比通過 DRAM 接口訪問（例如 60 MB/s）稍微快一點并且幾乎不妨礙通過 DRAM 接口訪問，因為它很少發生（每隔 2048、4096 或 8192字節）需要訪問的實際RAM。

• DRAM（動態隨機存取存儲器） 該存儲器接口供 CPU 或圖形處理器的集成圖形功能用于創建文本、圖形和圖像。 從技術上講，VRAM 模塊由 FPM RAM（30-40 ns 循環時間）或 EDO RAM（20-30 ns 循環時間）組成，可實現 50 至 66 MHz 的時鐘頻率。

• WRAM（窗口 RAM）像 VRAM 一樣配備了獨立的讀寫線，但訪問時間更快，制造成本更低。
• SGRAM（同步圖形 RAM）是一種在技術上與 SDRAM 相關的單端口存儲器，同時讀取和寫入訪問是不可能的。 它提供了一系列功能，這些功能已經擴展到包括圖形操作（例如在塊中讀取和寫入）和更高的時鐘頻率。
• MDRAM（多組 DRAM）構造為一組通過公共總線連接的獨立內存組。 通過這種結構，可以實現高度并行化。
• CDRAM（高速緩存 DRAM）是靜態內存 (SRAM) 和動態內存 (DRAM) 的混合體。 與現代處理器的緩存類似，經常使用的數據存儲在帶有 CDRAM 的快速 SRAM 中，從而提高性能。
• 3D RAM 是 Mitsubishi 開發的，由存儲芯片和集成邏輯組成。 一些圖形操作（例如 z-buffer test）可以直接在內存中執行。 此內存用于 Sun Microsystems 的 UltraSparc。
• GDDR-SDRAM（圖形雙倍數據速率 SDRAM）是一種基于 DDR-SDRAM 的圖形內存，具有優化的訪問時間和高時鐘頻率的特點。